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同质外延CVD金刚石膜的室温边发射

王春蕾 , 入江正丈 , 伊藤利道

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.03.015

利用高功率微波等离子体化学气相沉积方法及合适的预处理方法成功地合成了无生长丘 的高品质金刚石膜。阴极荧光（CL）结果表明在本工作的同质外延金刚石膜中，边发射在室温下也 是主峰之一。详细研究了室温下有异常粒子和无异常粒子的样品的CL谱和CL扫描图。发现边 发射主要产生于无异常粒子区域,而大多数异常粒子主要对位于425nm的BandA发射起作用。 因此抑制异常粒子的形成对提高同质外延金刚石膜的质量非常重要。

关键词: 同质外延金刚石膜 , 阴极荧光法(CL) , 边发射