郅惠博
,
李洪涛
,
王涛
,
吴益文
,
王彪
,
陈杰
,
徐杰
,
李蒙
,
季诚昌
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.16.022
为提高热电材料塞贝克系数的测试准确度,主要以康铜合金和钴酸钙为测试对象进行了一系列测试,其中以典型的碲化铋、方钴矿、硒化铅块体热电材料为辅助研究对象,具体研究测温热电偶的塞贝克效应、温差设置、数据处理方式对塞贝克系数测试结果的影响.结果表明:热电偶的塞贝克效应对Seebeck系数测试准确度的影响是显著的;样品两端温差设为10K以上,多组温差间的梯度设为3K以上,直线拟合方式采用不过原点拟合,可以使Seebeck系数测试结果的准确度得到很大提高.
关键词:
热电材料
,
塞贝克系数
,
测试
,
影响因素
段兴凯
,
江跃珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.05.004
采用瞬间蒸发技术沉积了厚度为800 nm的P型Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜,并在373 K-573 K进行1小时的真空退火处理.利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和能量散射谱(EDS)分别对薄膜的物相结构、表面形貌以及化学计量比进行表征.研究了退火温度对Bi0.5Sb1.5Te3薄膜的电阻率和Seebeck系数的影响,退火温度从373K增加到473K,Bi0.5Sb1.5Te3薄膜的电阻率和Seebeck系数都随之增加,退火温度从523K增加到573K,薄膜的电阻率和Seebeck系数缓慢下降.当退火温度为473K时,Bi0.5Sb1.5Te3薄膜的电阻率和Seebeck系数分别为2.1 mΩcm和162 μV/K,薄膜的热电功率因子最大值为13 μW/cmK2.
关键词:
退火处理
,
微观结构
,
电阻率
,
塞贝克系数
罗派峰
,
熊聪
,
唐新峰
功能材料
用两步固相反应法合成了单相Ba填充式skutterudite化合物BayCo4Sb12.研究了Ba对skutterudite化合物热电性能的影响:与CoSb3比较电导率大幅度提高了将近20倍,并且随Ba填充分数的增加电导率增大;塞贝克Seebeck系数较CoSb3有小幅度的下降,但在中高温区域却有一定程度的提高,并且随着Ba填充分数的增加而下降;晶格热导率明显下降;对Ba填充量为0.3的Ba0.3Co4Sb12化合物得到的最大热电性能指数ZT达到0.91.
关键词:
方钴矿
,
电导率
,
塞贝克系数
,
晶格热导率
,
热电性能指数
汪韧
,
刘玉梅
,
何少云
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.027
通过控制不同梯度的电流密度和电沉积时间,利用电化学方法在铜片上沉积Bi/Te薄膜,经不同温度退火处理后生成Bi2Te3;采用SEM(带EDS)和XRD对薄膜的形貌、成分进行分析,研究了电流密度和电沉积时间对晶粒成长的影响,并对用Bi2 Te3薄膜制成发电器件的性能进行了研究.结果表明:电流密度越大,Bi2Te3晶粒尺寸越小;电沉积的时间越长,Bi2Te3薄膜越均匀;退火过程中350℃结晶效果最好;退火后可以形成多晶薄膜,颗粒致密均匀,具有一定择优取向性,还可以提高Seebeck系数,达到-123μV/K;对比传统块状粒子发电,电化学沉积制备的Bi2Te3薄膜发电器件更具有优势.
关键词:
Bi2Te3薄膜
,
电化学沉积
,
退火
,
塞贝克系数
张慧云
,
陈宜保
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2008.03.032
过渡金属高锰硅化合物MuSi1.7作为半导体和难熔金属硅化物,具有热电应用的前景.尽管对MnSi1.7热电材料的研究已进行多年,但若要实现商业化应用,在制备和性能优化等方面还有很多问题需要解决.本文利用高温烧结的方法,在氮气氛保护下成功地制备出了锰硅块材化合物,研究了样品中所含的相结构及其所占比例(特别是MnSi1.7相)与烧结温度、保温时间的关系及它们对热电性能的影响.实验发现,MnSi1.7相所占的比例随着烧结温度的升高和保温时间的增加而增加,但材料的塞贝克系数在增大到某一饱和值后就不再增加了.
关键词:
MnSi1.7化合物
,
热电效应
,
塞贝克系数
,
热电材料
,
相结构
王为
,
黄庆华
,
贾法龙
,
张志荣
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.034
采用电化学控电位沉积的方法制备了Bi2-xSbxTe3温差电材料薄膜.通过ESEM、XPS、XRD、EDS等方法对电沉积薄膜的形貌、结构和组成进行了研究,并测试了在不同电位下制备的Bi2-xSbxTe3薄膜的温差电性能.研究结果表明,在含有Bi3+、HTeO+2和SbO+的溶液中,采用控电位沉积模式,可实现铋、锑、碲三元共沉积,生成锑掺杂的Bi2Te3化合物Bi2-xSbxTe3.通过调节沉积电位,可控制电沉积Bi2-xSbxTe3薄膜的掺杂浓度,从而影响材料的温差电性能.控制沉积电位为-0.5V条件下制备的温差电材料薄膜的塞贝克系数最大,为213μV·K-1,其组成为Bio.5Sb1.5Te3.随着沉积电位的负移,电沉积出的Bi2-xSbxTe3薄膜的结晶状态将逐渐由等轴晶转变为树枝晶.研究证明,电沉积方法可以制备出性能优异的薄膜温差电材料.
关键词:
温差电材料薄膜
,
Bi2-xSbxTe3化合物
,
电沉积
,
塞贝克系数
