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神经网络在制备氮化硅多孔陶瓷中的应用

余娟丽 , 王红洁 , 张健 , 严友兰 , 乔冠军 , 金志浩

稀有金属材料与工程

以凝胶注模法制备多孔氮化硅陶瓷正交试验结果作为样本,建立3层Back Pmpagation(BP)神经网络,并进行训练以预测陶瓷性能.通过附加试验值对建立的神经网络预测能力进行验证,证明该BP神经网络模型是有效的,能准确预测多孔氮化硅陶瓷性能.通过BP神经网络模型研究多孔氮化硅陶瓷性能的结果表明,随着固含量的增加,气孔率单调下降;固含量存在一优化值,此时陶瓷抗弯强度最大;单体含量越大,气孔率越大,而抗弯强度降低.

关键词: 神经网络 , 多孔氮化硅陶瓷 , 抗弯强度 , 气孔率

包覆成孔剂法制备高性能多孔氮化硅陶瓷工艺

李坊森 , 周万城 , 胡汉军 , 罗发 , 朱冬梅

材料科学与工艺

为了制备高强度且分布均匀的氮化硅陶瓷,采用包覆成孔剂法改进普通添加成孔剂的方法,常压烧结氮化硅多孔陶瓷,采用阿基米德法、三点弯曲法分别测试材料的孔隙率及抗弯强度,用扫描电镜和光学放大镜对氮化硅多孔陶瓷显微结构和表观结构进行研究.结果表明,添加包覆过的成孔剂强度比添加未包覆的成孔剂强度高,孔隙率为50%时,强度增加近一倍.强度的提高归因于特殊的微观结构,即气孔的均匀分布和孔与孔之间相间隔分布.

关键词: 包覆成孔剂法 , 多孔氮化硅陶瓷 , 抗弯强度 , 间隔型孔分布

低介电常数多孔氮化硅陶瓷的制备

门薇薇 , 轩立新 , 袁中毅 , 张明习

材料导报

采用凝胶注模成型工艺,以SiO2含量大于等于95%的空芯玻璃微珠作造孔剂,通过控制造孔剂的加入量和调节造孔剂的孔径成功制备出低介电常数、高强度的多孔Si3N4陶瓷.结果表明,随着造孔剂含量的增加,试样气孔率增大,弯曲强度降低,ε和tanδ都相应降低,ε最低为1.77;在造孔剂加入量为10%时,随着造孔剂的孔径尺寸变大,试样的孔径变大,弯曲强度降低,试样的ε和tanδ也相应降低.当造孔剂含量为10%、孔径尺寸为80μm时制备的多孔氨化硅陶瓷ε为2.13,弯曲强度达到38MPa,适合作为宽频带天线罩的夹层材料.

关键词: 多孔氮化硅陶瓷 , 低介电常数 , 气孔率 , 孔径

天线罩用多孔氮化硅陶瓷的制备

徐洁 , 周万城 , 王俊勃 , 苏晓磊 , 贺辛亥

功能材料

采用反应烧结工艺,通过添加成孔剂的方法,制备出具有球形宏观孔的低密度多孔氮化硅陶瓷,研究了球形宏观孔和烧结工艺对多孔氮化硅陶瓷性能的影响.实验结果表明,与未添加成孔剂的样品相比,成孔剂的添加有效降低了材料的气孔率,使材料的介电常数ε'和介电损耗tanδ下降.孔的加入能促进针状氮化硅的生成,降低单位体积中产生的热量,防止局部过热从而避免硅熔现象的出现.缓慢的升温速率可促进α-Si3N4的生成,减少针状物,降低试样中游离硅的含量.烧结后的试样经过热处理可以使氧原子扩散进入材料内部,和试样中的游离Si结合成SiO2,降低试样的介电性能.

关键词: 多孔氮化硅陶瓷 , 制备工艺 , 介电性能 , 天线罩

预烧结对反应烧结多孔氮化硅陶瓷性能的影响

徐洁 , 罗发 , 朱冬梅 , 周万城

航空材料学报 doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2008.03.009

研究了预烧结对反应烧结多孔氮化硅陶瓷的介电性能和力学性能的影响.通过添加30wt%的成孔剂颗粒,制备出孔隙率在55%左右的具有宏观球形孔的多孔氮化硅陶瓷.反应烧结前,在低于硅熔点的温度下,对多孔硅坯体进行不同温度和不同时间的预烧.结果表明,随着预烧结温度的增高和时间的加长,反应烧结后烧结体的强度明显提高,介电常数ε'和介电损耗tanδ都有小幅度的增加.在硅粉中添加5wt%Y2O3 + 5wt%Al2O3进行预烧,可以减小反应烧结后试样的ε',并且随预烧结时间的增加而减小.

关键词: 多孔氮化硅陶瓷 , 预烧结 , 介电性能 , 抗弯强度

氮化硅多孔陶瓷制备技术的研究进展

李坊森 , 周万城 , 胡汉军 , 罗发 , 朱冬梅

材料导报

多孔氮化硅陶瓷具有优良的机械性能,成为人们研究的热点问题.首次从原料成分设计、成型方法和烧结条件等方面出发阐述了国内外多孔氮化硅陶瓷主要制备技术的最新研究状况,分析了各种制备技术的优缺点,并指出多孔氮化硅陶瓷未来研究的重点是高性能氮化硅陶瓷制备工艺的量化和实际生产的低成本化.

关键词: 多孔氮化硅陶瓷 , 成分设计 , 成型方法 , 烧结工艺

不同碳硅比稻壳对原位制备多孔Si3N4陶瓷的影响

许晓敏 , 刘甜甜 , 郭伟

人工晶体学报

以不同C/SiO2的碳化稻壳为硅源、碳源和成孔剂,添加α-Si3N4和少量烧结助剂,利用碳热还原氮化法原位制备多孔氮化硅陶瓷,研究了不同C/SiO2和烧结温度对多孔陶瓷相组成、显气孔率、抗弯强度和微观结构等性能的影响.结果表明:当选用碳化稻壳C/SiO2(质量比)为0.5和0.7时,在1450 ~ 1500℃的试样中有α-Si3N4和β-Si3N4,在1550℃的试样中只有β-Si3N4.C/SiO2为0.7、1450~1550℃下制备出多孔氮化硅陶瓷,其气孔率为52.53% ~38.48%,抗弯强度为44.07~83.40MPa;1550℃制备的多孔β-Si3N4陶瓷中孔隙分布均匀,孔径约为2μm,β-Si3N4呈团簇状生长,长径比约为6~8.

关键词: C/SiO2 , 烧结温度 , 稻壳 , 多孔氮化硅陶瓷

多孔氮化硅表面γ-Y2Si2O7陶瓷涂层的制备及抗热震性能

范星宇 , 王红洁 , 温江波 , 牛敏

复合材料学报 doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20151201.003

采用浆料喷涂与高温熔渗结合的方法,以γ-Y2 Si2 O7和Y2 O3-Al2 O3-SiO2三元氧化物粉体为原料,在多孔 Si3 N4表面制备致密γ-Y2 Si2 O7陶瓷涂层,采用 XRD和 SEM测试方法系统研究原料配比及烧结温度对涂层结构、组织和抗热震性能的影响。结果表明:SiO2与Al2 O3物质的量之比较高时,涂层为致密γ-Y2 Si2 O7层和过渡层的双层结构;SiO2与 Al2 O3物质的量之比较低时,只能形成单层结构;双层结构涂层的抗热震性能优于单层结构涂层。

关键词: 多孔氮化硅陶瓷 , 封孔涂层 , γ-Y2 Si2O7涂层 , 熔渗法 , 抗热震

用碳热还原法制备多孔氮化硅陶瓷

陕绍云 , 杨建锋 , 高积强 , 张文辉 , 金志浩

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.04.025

以廉价的二氧化硅和活性碳为起始粉料,用碳热还原法制备了高气孔率,孔结构均匀的多孔氮化硅陶瓷.考察了二氧化硅粉末粒径对多孔氮化硅陶瓷微观组织和力学性能的影响.借助X射线衍射(XRD),扫描电子显微(SEM)和三点弯曲法对多孔氮化硅陶瓷的微观组织和力学性能进行了研究.XRD分析表明在烧结后的试样中,除了微量的α-Si3N4相和晶界结晶相Y8Si4N4O14外,其余的都是β-Si3N4相;SEM分析显示多孔氮化硅陶瓷是由柱状β-Si3N4晶粒和均匀的孔组成,通过改变二氧化硅的粒径,制备了不同孔隙率,力学性能优异的多孔氮化硅陶瓷.

关键词: 碳热还原法 , 多孔氮化硅陶瓷 , 微观组织 , 力学性能

碳热还原法制备氮化硅的研究进展

胡易成 , 李三妹 , 陕绍云 , 贾庆明 , 蒋丽红 , 王亚明

硅酸盐通报

本文分析了碳热还原合成氮化硅的反应机理,综述了用碳热还原制备氮化硅粉末和多孔氮化硅陶瓷的研究现状和进展,阐述了碳热还原法现有问题,并展望了用碳热还原法制备氮化硅的发展.

关键词: 碳热还原 , 氮化硅 , 多孔氮化硅陶瓷

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