马迪
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李淑英
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胡秀英
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陈旭红
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杨梦
材料保护
以多孔阳极氧化铝（AAO）膜制备纳米材料时降低AAO膜孔径至关重要，降低电压无法达到要求，而降低氧化温度可实现这一目标。在0．4mol／L H3PO4溶液中加入70％～80％（体积分数）1，3-丙三醇（PDO），于-10～10℃下恒压110V阳极氧化1h制备了多孔阳极氧化铝（AAO）膜，并在0．50mol／LH，B03和0．05mol／L Na2B4O7溶液中于20℃下以0.5mA／cm。进行填孔后处理。利用SEM，EDS，XRD分析了AAO膜的表面彤貌与组成。并对AAO膜填孔前后的极化曲线和交流阻抗谱进行了测试。结果表明，膜孔径随氧化温度降低而降低，80％PDO，10℃所得AAO膜的成分包括65．94％（质量分数，下同）Al，12．79％C，20．29％O和0．98％P；随氧化温度升高和PDO含量下降，AAO膜的稳定电流密度增大；随氧化温度升高，膜阻挡层厚度增大；填孔试验前AAO膜只存在一个阻挡层的相位角峰，填孔后出现两个峰，中高频段体现封闭的阻挡层特性，低频段体现的是多孔层封闭部分的特性。
关键词:
多孔阳极氧化铝膜
,
低温氧化
,
填孔
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1，3-丙三醇
,
电化学性能
刘学杰
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刘金会
,
任元
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李良方
材料保护
为了进一步了解多孔阳极氧化铝膜孔洞的形成、发展过程与电场分布的关系,建立了4种模型对多孔阳极氧化铝膜中孔洞形成初始阶段和发展阶段的电场分布情况进行了有限元分析.结果表明:在孔洞初始阶段,孔洞间距较小的孔洞底部电场强度小,而间距较大的孔洞底部电场强度较大,浅孔底部电场强度较小,深孔底部电场强度较大;在孔洞发展阶段,间距不等的孔底部电场分布不均,面向壁厚侧底部电场强度较大,面向壁薄侧底部电场强度较小.这些电场分布情况可为进一步分析孔洞发展以及导致孔洞有序分布因素奠定基础.
关键词:
多孔阳极氧化铝膜
,
电场分布
,
孔洞
,
有序生长
,
有限元分析
刘少森
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曾鹏
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谢光荣
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胡勇
电镀与涂饰
先采用0.3 mol/L草酸溶液在0℃、8.9 mA/cm2下对纯铝板进行二次阳极氧化,制得氧化铝多孔膜(AAO),随后以AAO为模板,采用直流电沉积法制得Bi2Te3纳米线阵列.镀液组成和工艺条件为:Bi3+0.0075 mol/L,HTeO,+0.00125 mol/L,NO3-1 mol/L,温度0℃,pH 0.1,时间2h.研究了沉积电位对沉积过程的电流变化以及纳米线的Te含量、形貌和结构的影响,得到最佳沉积电位为1.4 V.在1.4 V下沉积所得纳米线结构致密、连续,孔径约为90 nm,与AAO的孔径一致.
关键词:
碲化铋
,
直流电沉积
,
纳米线阵列
,
多孔阳极氧化铝膜
,
模板
马迪
,
李淑英
功能材料
采用AAO样模法在多孔阳极氧化铝膜上电沉积镍金属微粒,从而制备出一维镍纳米线阵列.多孔阳极氧化铝膜的制备是采用直流阳极氧化的方法,在EG&G PARC公司的M175型恒电位仪上直流电沉积镍金属微粒,获得镍纳米线和阳极氧化铝膜的组装体系.本实验采用日本电子公司JEM-5600LV扫描式电子显微镜SEM观察阳极氧化铝膜的尺寸和形态;利用X射线衍射仪XRD和电子探针对纳米线的结构和组分进行分析.在EG&G PARC公司的M175型恒电位仪上通过阴极极化曲线测试技术,考察了镍盐溶液中的电沉积过程.由阴极极化曲线分析得出,沉积电流在0.5～3 mA/cm2为最佳范围.电沉积过程中要控制沉积温度,一般25～30℃左右较为合适.
关键词:
电沉积
,
纳米线
,
多孔阳极氧化铝膜
