周涛
,
刘聪
,
陆晓东
,
吴元庆
,
夏婷婷
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.06.007
首先利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对P型单晶硅太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响.然后以获得最优的发射区结构参数为目标,对热扩散工艺和离子注入工艺进行了仿真研究.仿真结果表明,发射区表面浓度和结深的变化对单晶硅太阳电池输出特性产生显著影响.当发射区表面浓度为5×1020 cm-3,结深为0.1μm时,太阳电池转换效率最高,可达20.39%.若采用热扩散工艺制备发射区,扩散温度范围为825~850℃,扩散时间范围为10~20 min;若采用离子注入工艺制备发射区,当注入剂量为1×1017 cm-2,注入能量为5 keV时,退火温度范围为850~875℃,退火时间范围为5~15 min.
关键词:
单晶硅
,
太阳电池
,
发射区
,
表面浓度
,
结深
,
扩散
,
离子注入
,
转换效率
郑安生
,
邓志杰
,
俞斌才
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.031
在整个化合物半导体工业中,光电子工业一直占主导地位.本文概述了化合物半导体材料在发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、太阳电池(SC)和光探测器(PD)方面的应用现状及发展趋势.以高亮度LED为基础的固态光源由于有着巨大的经济效益、能源效益和环境效益从而有很好的发展前景.量子结构光电器件由于具有一系列独特性能,将越来越受到重视.
关键词:
化合物半导体材料
,
光电器件
,
发光二极管
,
激光二极管
,
太阳电池
,
光探测器
,
量子结构
王艳香
,
罗俊
,
郭平春
,
赵学国
,
杨志胜
,
朱华
,
孙健
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140617
杂化钙钛矿是近年来发展非常迅速的一类新型光电材料。自从2009年日本学者首次研究钙钛矿敏化太阳电池，经过五年的发展，有机铅卤化物钙钛矿太阳电池光电转换效率从最初的3.1%跃升到19.3%。本文介绍了有机铅卤化物钙钛矿的结构及其在有机/无机杂化钙钛矿太阳电池中的应用，并从有机铅卤化物钙钛矿太阳电池的发展历程、器件结构、制备方法等方面做了总结。最后简要讨论了钙钛矿太阳电池的长期稳定性、环境问题，并就未来发展趋势进行展望。
关键词:
太阳电池
,
钙钛矿
,
有机铅卤化物
,
光电效率
,
TiO2/ZnO光阳极膜
,
空穴传输材料
,
综述
谢荣国
,
席珍强
,
马向阳
,
袁俊
,
杨德仁
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.04.010
采用HF/HNO3溶液化学腐蚀,在硅片上制备减反射效果优良的多孔硅太阳电池减反射膜,借助原子力显微镜(AFM)和X光电子谱(XPS)对其表面形貌和成分进行观察,发现该膜与电化学阳极腐蚀得到的多孔硅具有相似性,其主要成分为非化学配比的硅的氧化物SiOx(X＜2).采用带积分球的光度分光计,测得形成多孔硅减反射膜后,硅片表面反射率大大下降,,在波长330～800nm范围反射率只有1.5～2.9%.研究指出这种强减反射作用,与多孔硅具有合适的折射率及其多孔特性的光陷阱作用有关.
关键词:
多孔硅
,
太阳电池
,
减反射膜
,
化学腐蚀
雷天民
,
胡永红
,
李红生
,
李留臣
,
封先锋
,
刘守智
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.022
以硫代乙酰胺、三乙醇胺、氯化亚锡和氨水作反应物,氯化铵作缓冲剂,采用化学浴法在玻璃衬底上沉积SnS薄膜,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等分析手段对样品进行了表征.XRD分析结果表明样品为斜方晶体结构的多晶SnS薄膜.SEM观察结果显示薄膜表面呈竹叶状多孔形貌,此结构有利于增加太阳电池的光吸收.
关键词:
多孔
,
SnS
,
薄膜
,
化学浴
,
太阳电池
唐煜
,
周春兰
,
贾晓昀
,
王文静
材料导报
SiNx:H薄膜因为具有良好的减反射性质和钝化作用,在晶体硅太阳电池(单晶硅、多晶硅)的研究和生产中得到越来越广泛的应用.介绍了SiNx:H薄膜在硅基太阳电池中的减反射和钝化作用,主要制备方法等研究现状,以及面临的问题和今后的研究趋势.
关键词:
太阳电池
,
SiNx
,
H
,
钝化
,
减反射
焦宝臣
,
张晓丹
,
赵颖
,
孙建
,
魏长春
,
杨瑞霞
人工晶体学报
利用超声雾化热分解技术(USP)、通过N-Al共掺的方法,在coming 7059衬底上生长出P型透明导电膜.该薄膜在可见光范围内的透过率可达到90%以上.X射线衍射的测试结果表明:P型透明导电膜具有c轴择优生长特性.通过霍耳测试得到P型ZnO薄膜的电学特性为:电阻率为4.21 Ω·cm、迁移率是0.22 cm2/(V·s)、载流子浓度为6.68×1018cm-3.此材料初步应用到微晶硅电池中,其开路电压为0.47 V.
关键词:
ZnO薄膜
,
P型
,
透明导电薄膜
,
太阳电池
郭春林
,
汪雷
,
戴准
,
房剑锋
,
郑佳毅
,
杨德仁
材料科学与工程学报
二氧化硅(SiO2)是制备高效晶体硅太阳电池常用的钝化手段.本文利用快速热氧化(RTO)技术在晶体硅表面制备超薄SiO2层,考察其对硅表面的钝化作用.在100％O2气氛下,900℃RTO处理180s,可以使样品的少子寿命达到146.6μs的最佳值.采用RTO方法制备的SiO2薄膜厚度可以控制在几个纳米范围.通过与等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统沉积的氮化硅(SiNx)薄膜形成叠层钝化膜,可以进一步提高对太阳电池表面的钝化效果.单层SiNx薄膜钝化的样品有效载流子寿命为51.67μs,SiO2/SiNx叠层薄膜钝化的样品有效载流子寿命提高到151.18μs.
关键词:
RTO
,
SiO2薄膜
,
太阳电池
,
钝化
刘芳芳
,
孙云
,
张力
,
李长健
,
乔在祥
,
何青
,
王赫
人工晶体学报
本文系统研究了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池在入射光强为10～100 mW/cm2范围内的性能参数.结果表明,随光强的减弱,CIGS电池的转换效率、填充因子、短路电流密度和开路电压等性能参数逐步衰减;电池参数与光强的依赖关系可明显划分为两个阶段:光强高于75 mW/cm2时,电池性能变化不大;当光强低于70 mW/cm2时,电池性能衰减明显.这是由于随着光强的降低,RS(串联电阻)值和RSH(并联电阻)值都在升高.其中,RSH值的增大使得CIGS电池的弱光特性变好,但较小的RSH值并不能弥补RS所导致电池性能的衰退.最后,发现高Ga含量的CIGS薄膜电池(8.7%)比低Ga含量(6.9%)的电池弱光特性好.
关键词:
CIGS薄膜
,
太阳电池
,
光强特性
,
弱光特性
罗欣莲
,
蓝鼎
,
万发荣
,
龙毅
,
周海鹰
,
叶亚平
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.004
采用溶胶凝胶法、粉末涂敷法和磁控溅射法在导电玻璃上制得纳米TiO2薄膜.电子衍射和X射线衍射实验表明该薄膜主要是锐钛矿相结构,透射电子显微镜实验证明了薄膜晶粒为纳米尺度,扫描电子显微镜实验观察了薄膜的表面形貌.分析并讨论了利用以上各种方法制得的纳米TiO2薄膜的结构及其所组成的染料敏化太阳电池的性能.发现由致密TiO2层和多孔TiO2层组成的多层TiO2薄膜组装的太阳电池的性能优于任一种单层TiO2薄膜.
关键词:
纳米 TiO2薄膜
,
溶胶凝胶法
,
粉末涂敷法
,
磁控溅射法
,
太阳电池
