肖洪地
,
王成建
,
王矜奉
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2003.05.009
利用固相反应法即传统陶瓷工艺,制成了Ba1-xSrxPbO3系导电陶瓷.用四探针法测量了此种导电陶瓷的电阻率ρr,研究了ρr与Sr含量x和温度T的关系,通过红外光谱分析研究了此种样品.晶格中出现的氧缺位使得晶格结构发生畸变,Sr-O键出现强烈振动,同时产生了红外吸收谱.在氧缺位中存在弱束缚的导电电子.
关键词:
导电陶瓷
,
电阻率
,
氧缺位
,
导电电子
刘心宇
,
曾中明
,
万仁勇
,
成钧
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.02.021
采用化学液相共沉淀法制备了掺稀土La的BaPbO3导电陶瓷;用X射线衍射及SEM对粉末的结构和形貌进行了研究,从而确定了液相共沉淀法制取Ba1-xLaxPbO3的合成温度;同时讨论了稀土La对BaPbO3粉末合成过程及其电性能的影响.结果表明:采用液相共沉淀法能明显降低Ba1-xLaxPbO3粉末的合成温度,提高粉体的合成率,其合成温度大约在650℃左右;添加稀土La对BaPbO3的电阻率的影响呈W形状变化,当x=0.1时Ba1-xLaxPbO3的焙烧温度、形貌、电阻率均达到最佳.
关键词:
稀土
,
BaPbO3
,
导电陶瓷
,
液相共沉淀法
原晓波
,
刘宜华
,
黄宝歆
,
王成建
,
梅良模
功能材料
在溶胶-凝胶法制备的La0.67 Ba0.33MnO3(LBMO)微粉中掺入Ag2O粉,制成一系列(LBMO)/(Ag2O)x/2(x=0～O.35,为摩尔比)掺杂材料,实验结果发现Ag掺杂可明显降低材料的电阻率.当掺Ag量为x=O.25时,样品的电阻率达到最低值.同时在居里点附近,样品的峰值磁电阻得到显著增强.微量的Ag掺杂有助于提高样品的自旋相关隧穿磁电阻,使低场磁电阻得到显著增强.
关键词:
庞磁电阻效应
,
低场磁电阻
,
颗粒体系
,
两相复合结构
,
导电陶瓷
陆裕东
,
王歆
,
庄志强
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.05.010
采用Ba(OH)2·8H2O, Pb(CH3COO)2·3H2O和KOH为原料, 柠檬酸和乙二胺四乙酸(EDTA)为复合螯合剂, 采用溶胶凝胶工艺制备了K掺杂BaPbO3(BPO)陶瓷, 讨论了不同的K受主掺杂浓度对BPO导电陶瓷的电导率和阻温特性的影响.实验结果表明: 采用Sol-Gel法获得了均一相、化学计量比的K掺杂BPO陶瓷;K-BPO陶瓷的室温电阻率随K掺杂量呈倒"S"形状变化, 当掺杂量为3%～5%(摩尔分数)时室温电阻率最低, 约为4.5×10-4 Ω·cm;另外, 与BaTiO3系PTC陶瓷不同, PBO陶瓷引入受主杂质K后, 不但可以降低材料的室温电阻率, 而且可以使材料呈现出一定的PTC效应.
关键词:
BaPbO3
,
导电陶瓷
,
受主掺杂
,
电导率
,
阻温特性
,
Sol-Gel
许少凡
,
许少平
,
江沣
,
张中宝
材料热处理学报
用粉末冶金法制备了一定含量的镀铜和不镀铜Ti3SiC2-Cu-C复合材料,以及Cu-C复合材料,对它们的物理和力学性能进行了测试,并在滑动速度为10m/s,载荷为4.9N的干摩擦条件下进行了36h磨损试验,结果表明:镀铜Ti3SiC2-Cu-C复合材料的导电性、硬度、抗弯强度和耐磨性优于不镀铜Ti3SiC2-Cu-C复合材料和Cu-C复合材料.
关键词:
导电陶瓷
,
复合材料
,
电阻率
,
抗弯强度
,
耐磨性
古尚贤
,
郭伟明
,
伍尚华
,
游洋
,
蒋强国
,
高棱
人工晶体学报
以TiC和TiN粉为导电相,利用热压烧结制备了Si3N4-TiC和Si3N4-TiN复相导电陶瓷.比较了TiC和TiN对Si3N4陶瓷相组成、致密度、显微结构、力学性能、导电性能及电火花加工性能的影响.结果表明:高温下TiN与Si3N4具有良好稳定性,烧结后获得Si3N4-TiN复相导电陶瓷,然而高温下TiC却与Si3N4反应形成了TiC0.5N0.5和SiC,烧结后获得Si3 N4-TiC0.5N0.5-SiC复相导电陶瓷.虽然TiN和TiC的引入对Si3N4的硬度和断裂韧性的影响没有明显差别,然而TiC的引入可以更好的改善Si3N4的致密化、导电性能及电火花加工性能;与以TiN为导电相所制备的Si3N4基导电陶瓷相比,以TiC为导电相所制备的Si3N4基复相导电陶瓷电火花加工后表面的粗糙度值和材料去除率更低.
关键词:
Si3N4-TiC
,
Si3N4-TiN
,
热压烧结
,
导电陶瓷
,
导电性
王歆
,
陆裕东
,
庄志强
材料导报
介绍了钙钛矿结构导电陶瓷的研究与发展,对LaGaO3、(LaSr)FeO3-δ等含La导电陶瓷和BaPbO3等不含La导电陶瓷的结构、导电机理和应用进行了详细的论述,分析了掺杂对各系列钙钛矿型导电陶瓷电导率的影响.
关键词:
钙钛矿
,
导电陶瓷
,
氧空位
,
电导率
,
掺杂
赵洪旺
,
花中秋
,
李统业
,
陈汉军
,
董亮
,
王豫
功能材料
研究了CuO掺杂对WO_3压敏电阻微结构和电学行为的影响,样品采用传统的陶瓷工艺制备.微结构通过扫描电子显微镜(SEM)观察,相结构和成分借助于X射线衍射(XRD)和能谱(EDS)进行分析.结果表明,微量的CuO掺杂能够促进WO_3陶瓷的致密化和晶粒生长.根据I-V特性测量结果,0.2%(摩尔分数)CuO掺杂的WO_3陶瓷具有线性伏安特性和极小的电阻率.CuO含量的继续增加使样品的非线性电学行为和电阻率又获得恢复,这是因为偏析于晶界处的CuO与两侧的晶粒形成了n-p-n型的双肖特基势垒.
关键词:
压敏电阻
,
导电陶瓷
,
WO_3
,
CuO
刘可心
,
金松哲
人工晶体学报
采用Ti,Sn和C元素粉末作为反应原料,按Ti2SnC化学计量比作为原料配比(Ti: Sn:C =2: 1:1),通过机械合金化(MA)制备出Ti2SnC导电陶瓷粉体.研究球磨时间、转速、球料比和磨球直径对机械合金化合成Ti2SnC形貌和相变的影响.研究表明:单质混合粉体经过机械合金化(球磨转速550 r/min,球料比10:1,磨球直径12 mm)球磨10 h,生成以Ti2 SnC为主晶相且含有少量Sn和TiC杂质相的混合粉体.较长的球磨时间或较高的转速会抑制Ti2SnC的合成;同样,较大直径的磨球或较高的球料比会使反应体系能量过高,使Ti2SnC分解转化成较稳定的TiC.
关键词:
球磨
,
机械合金化
,
Ti2SnC
,
导电陶瓷
