冯丽萍
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刘正堂
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田浩
稀有金属材料与工程
为了替代传统的SiO2栅介质,利用射频反应溅射法在Si衬底上制备了新型HfSiON薄膜.研究了HfSiON薄膜的成分、结构和介电性能.由XRD图谱可知,HfSiON薄膜经900℃高温退火处理后仍为非晶态,显示出良好的熟稳定性.MOS电容的高频C-V曲线测量显示,HfSiON薄膜具有较好的介电特性,其介电常数可达到18.9,电容等效氧化层厚度为4.5 nm.I-V测量结果表明,HfSiON薄膜的漏电流密度很低,在外加偏压(Vg)为±1.5 V处的漏电流密度分别为3.5×10-7A/cm2(+1.5 V)和1.5×10-6A/cm2(-1.5 V).研究表明,HfSiON薄膜将会是一种很有希望取代SiO2的新型高k栅介质材料.
关键词:
高k栅介质
,
HfSiON薄膜
,
射频反应溅射
岳金顺
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程文娟
,
蒋钢娟
,
贺德衍
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陈光华
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.029
本文研究以六方BN为靶材,CH4为反应气体,利用射频溅射技术制备BCN三元化合物薄膜.样品的结构由X射线衍射谱、傅立叶变换红外吸收谱和X射线光电子能谱等方法进行表征.实验结果表明样品是具有类石墨涡旋蜂窝状结构的BCN三元化合物.通过改变CH4分压,能够控制薄膜中的C含量:随CH4分压的增高,薄膜中C含量增大,电导率也显著增大.当CH4分压比在10%附近时,样品呈现半导体特性,由电导率-温度关系曲线求得电导激活能约为0.8eV.
关键词:
BCN薄膜
,
射频反应溅射
,
结构和电学特性
王蜀霞
,
王万录
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廖克俊
稀有金属材料与工程
研究了射频反应溅射三元化合物CdIn2O4薄膜的电学和光学性质,讨论了反应气体中氧气浓度和热处理对CdIn2O4薄膜红外反射率的影响,实验结果表明,CdIn2O4薄膜在红外区域具有很高的反射率,是一种极好的红外反射膜.用它作为冰箱内保温膜和室内及冷库保温窗玻璃,效果十分明显,是一种极好的保温和节能膜.
关键词:
光电特性
,
CdIn2O4薄膜
,
射频反应溅射
吴雯
,
熊娟
,
杜鹏飞
,
陈侃松
,
顾豪爽
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.017
采用射频反应磁控溅射方法,通过旋转转盘,使衬底与靶材水平偏离一定角度,制备了C轴择优取向的倾斜AlN薄膜.用XRD分析了不同偏转角度下制备的AlN薄膜的择优取向度,用场发射扫描电镜(FE-SEM)观察了薄膜的截面形貌,并初步讨论了倾斜AlN薄膜的生长机理.分析和测试结果表明,当转盘旋转角度为10°时,AIN薄膜柱状晶倾斜最明显,倾斜角度可达25°.
关键词:
C轴倾斜
,
AlN薄膜
,
射频反应溅射
