尹文艳
,
杨合情
,
宋玉哲
,
万秀琴
,
任荣贞
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.03.025
论述了Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料的制备与尺寸控制,其制备法分为物理法和化学法.物理法包括离子注入法、溅射法和激光烧蚀法,化学法包括高温有机液相合成法、有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法等.其中高温有机液相合成法较易制备尺寸均一、稳定的半导体纳米晶,有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法设备简单、反应条件温和,具有广阔的应用前景.
关键词:
Ⅲ-Ⅴ族半导体
,
纳米材料
,
合成
,
尺寸控制
刘锋
,
顾永万
,
胡晋铨
,
悟冬霞
,
贺小昆
,
卢军
,
赵云昆
贵金属
惣生物相容性较好的巯基羧酸分子为保护剂、NaBH4为还原剂，采用有机两相法制备金属纳米粒子，实现了对纳米粒子的表面功能化。该方法制备的纳米材料粒径小(<5 nm)，单分散性好。讨论了巯基羧酸与金属前驱体之间的投料比、还原剂NaBH4的量惣及巯基羧酸分子链长等愁素对纳米粒子形貌的愝响。除Au外，该方法还适用巯基羧酸对Ag、Pt和Pd等多种纳米粒子的表面怱饰。
关键词:
材料化恘
,
有机两相法
,
巯基羧酸
,
贵金属
,
纳米粒子
,
尺寸控制
李臻
,
王树彬
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.11159
二氧化硅空心微球是由模板/溶胶-凝胶法制备的,其中模板选用的是阳离子型聚苯乙烯(PS),前驱体采用的是正硅酸乙酯(TEOS).二氧化硅空心微球的空腔大小由PS模板的尺寸决定,所以通过改变聚合反应的参数(单体、引发剂、稳定剂、分散介质的极性),可以制得粒径范围在0.71～1.80μm的二氧化硅空心微球.改变TEOS的浓度为0.4～0.8mmol/L,可以得到壁厚为20～60nm的二氧化硅空心微球.空心微球的粒径和壁厚将会影响粉体的堆积密度,而这同样会影响到以二氧化硅空心微球为原料制备的材料的热导率及强度.
关键词:
二氧化硅空心微球
,
尺寸控制
,
壁厚
,
体积密度
