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热处理加热制度与40Cr钢近门槛区疲劳过载效应

王章忠

材料热处理学报 doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2003.01.008

研究了近门槛区单周过载对40Cr钢热处理组织Ⅰ型疲劳门槛的影响.实验表明:四种组织过载后疲劳门槛均会提高,其幅度随过载比的加大和材料屈服强度的降低而增加;过载效应是裂尖钝化、裂尖附近残余压应力和裂尖尾部塑性诱导闭合等共同作用的结果.控轧控冷组织与正火组织、锻热淬火组织与调质组织分别对比,各自具有相近的疲劳裂纹过载效应.

关键词: 过载 , 热处理 , 疲劳裂纹 , 疲劳门槛 , 延迟

不同类型过载下Ⅰ型疲劳裂纹的扩展行为

王章忠 , 杜百平 , 李年

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.08.013

研究了Ⅱ、Ⅲ型过载对Ⅰ型疲劳裂纹扩展行为的影响并与Ⅰ型过载进行比较.结果表明:单周Ⅱ、Ⅲ型过载也延迟了其后的Ⅰ型疲劳裂纹扩展,但作用程度小于Ⅰ型过载;过载延迟效应随过载时基础载荷的降低和过载比的加大而增强,在近门槛区过载表现为疲劳裂纹扩展停止、疲劳门槛提高,在高基础载荷过载时疲劳裂纹则延缓、减速扩展.过载延迟行为主要由裂尖尾迹塑性诱导裂纹闭合和裂尖附近残余压应力状态引起.

关键词: 过载 , 疲劳裂纹扩展 , 疲劳门槛 , 延迟

周边集成AMLCD的信号失真和缓冲寄存器TFT尺寸计算

刘传珍 , 杨柏梁 , 李牧菊 , 朱永福 , 袁剑峰 , 寥燕平 , 吴渊 ,

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.03.006

建立了有源矩阵液晶显示器中周边驱动缓冲寄存器的等效电路模型.利用TFT的线性近似和Elmore模型,计算了周边驱动电路中的信号失真,讨论了栅延迟与金属栅电极材料的关系及对TFT开态电阻的要求.

关键词: 薄膜晶体管 , 有源矩阵液晶显示 , 延迟

p-n相互作用对1/2-[541]带带交叉频率延迟的影响

赵广义 , 刘运祚

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2004.04.019

通过转动框架下的经验近似, 提取了A=160区4个核的剩余p-n相互作用对1/2-[541]带的带交叉频率延迟的影响. 结果表明, 对于奇Z核中1/2-[541]带的带交叉频率的延迟, 剩余p-n相互作用的影响大约占二分之一左右, 表明剩余p-n相互作用在其中起着很重要的作用.

关键词: 剩余p-n相互作用 , 带交叉频率 , 延迟

不同类型过载下I型疲劳裂纹的扩展行为

王章忠 , 杜百平 , 李年

金属学报

研究了II、III型过载对I型疲劳裂纹扩展行为的影响并与I型过载进行比较. 结果表明: 单周II、III型过载也延迟了其后的I型疲劳裂纹扩展, 但作用程度小于I型过载; 过载延迟效应随过载时基础载荷的降低和过载比的加大而增强, 在近门槛区过载表现为疲劳裂纹扩展停止、疲劳门槛提高, 在高基础载荷过载时疲劳裂纹则延缓、减速扩展. 过载延迟行为主要由裂尖尾迹塑性诱导裂纹闭合和裂尖附近残余压应力状态引起.

关键词: 过载 , null , null , null

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