涂昕
,
满卫东
,
游志恒
,
阳朔
硬质合金
doi:10.3969/j.issn.1003-7292.2014.02.004
采用自制的1 kW石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积装置,以氢气和甲烷作为气源在镜面抛光的(100)面单晶硅片上沉积了金刚石薄膜.实验共制得两个样品,其中一个样品在制备的过程中加装了难熔的金属钽环,利用等离子体易吸附于金属钽环表面的特性,缩小了硅片中间与边缘等离子体密度差异,另外一个样品没有加装难熔的金属钽环.利用激光拉曼光谱仪和扫描电子显微镜(SEM)对制备的样品进行了表征,发现没有加装金属钽环的样品中间位置沉积的金刚石膜质量明显高于边缘位置沉积的金刚石膜,中间位置、离中间5mm位置、边缘位置沉积膜层的厚度差别很大;加装了金属钽环的样品中间位置与边缘位置沉积的金刚石膜质量差不多,中间位置、离中间5 mm位置、边缘位置沉积膜层的厚度差别不大,上述结果证明金属钽环的加入是一种提高MPCVD法制备金刚石膜均匀性的方法.
关键词:
微波等离子体化学气相沉积
,
金刚石膜
,
均匀性
,
方法
田寒梅
,
刘金龙
,
陈良贤
,
魏俊俊
,
黑立富
,
李成明
人工晶体学报
采用微波等离子体化学气相沉积(microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD)技术系统地研究了GaN的分解机制.结果表明微波等离子体富氢环境促进了GaN的分解反应,分解过程由表面缺陷开始,向侧面扩展,最后沿氮极性面进行;氢等离子体中通入少量氮气能够显著抑制GaN的分解,在此基础上采用两步生长法成功实现在GaN上纳米金刚石膜的直接沉积.
关键词:
氮化镓
,
分解
,
微波等离子体化学气相沉积
,
纳米金刚石膜
王文君
,
汪建华
,
王均涛
,
辛永磊
,
熊礼威
,
刘峰
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2011.02.018
利用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在钛基底上制备了掺硼金刚石(BDD)薄膜.研究了硼源浓度对BDD薄膜生长的影响.分别采用扫描电子显微镜,拉曼光谱,X射线衍射技术对薄膜的表面形貌、残余应力、择优取向及TiC含量进行了分析.结果表明,硼源浓度升高对金刚石薄膜(111)织构生长有促进作用;随着掺硼浓度的增加,TiC含量和晶粒尺寸皆减小,同时薄膜的张应力增大,缓解薄膜自身在制备过程中形成的压应力,从而更大程度上提高薄膜附着力.
关键词:
硼浓度
,
掺硼金刚石薄膜
,
钛
,
微波等离子体化学气相沉积
王朝勇
,
姚宁
,
张兵临
,
鲁占灵
,
方莉俐
,
邓记才
,
张新月
,
赵永梅
,
袁泽明
功能材料
以镀有Mo过渡层的A12O3衬底,在微波等离子体增强化学气相沉积(MPCVD)系统中,制备了非晶碳/Mo2C混合结构薄膜,反应气体为CH4和H2.在高真空室中测量了样品场发射特性.开启场强为0.55V/μm,在1.8V/μm电场下样品的发射电流密度为6.8mA/cm2.发射点点密度＞103/cm2.用SEM观察了表面形貌,Raman和XRD谱分析了薄膜的微观结构和成分.实验结果表明该薄膜是一种好的场致电子发射体.
关键词:
场发射
,
微波等离子体化学气相沉积
,
非晶碳
,
Mo2C
程文娟
,
张阳
,
江锦春
,
朱鹤孙
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.008
本文采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)系统,在单晶Si衬底上制备出了SiCN薄膜.所采用的源气体为高纯CH4和N2,而Si源来自于Si衬底、SiH4和Si棒.用场发射扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射谱(XRD)对样品进行了表征与分析.结果表明,外加Si源、高的衬底温度、高流量N2有助于提高样品的成膜质量.所得到SiCN样品是新型的六方结构三元化合物.
关键词:
SiCN薄膜
,
微波等离子体化学气相沉积
,
扫描电镜
,
X射线光电子能谱
,
X射线衍射
吕琳
,
汪建华
,
翁俊
,
张莹
,
崔晓慧
人工晶体学报
采用微波等离子体化学气相沉积法,以甲烷和氮气为气源,通过改变反应气体中氢气的浓度,在硅衬底上沉积出掺杂氮的超纳米金刚石膜.并利用扫描电子显微镜,拉曼光谱仪,X射线衍射仪,霍尔效应测试仪分别对掺杂氮的超纳米金刚石膜的表面形貌,组成结构及导电性能进行了进行表征,重点研究了氢气浓度对薄膜特性的影响.结果表明:随着氢气浓度的增加,薄膜的晶粒尺寸逐渐增大;薄膜的质量提高,且由G峰漂移引起的压应力逐渐减小;薄膜导电性变差.
关键词:
超纳米金刚石
,
氢气浓度
,
微波等离子体化学气相沉积
,
导电性
吴超
,
马志斌
,
高攀
,
黄宏伟
,
付秋明
,
王传新
人工晶体学报
在微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)生长单晶金刚石过程中,测量了近衬底附近等离子体发射光谱(OES),研究了甲烷浓度对等离子体中基团谱峰强度的影响,分析了等离子体中基团谱峰相对强度与金刚石生长速率、质量的关系.利用激光拉曼光谱(Raman)和扫描电镜(SEM)对生长之后的单晶金刚石进行表征.结果表明:随着甲烷浓度的提高,Hα基团谱峰几乎不变,C2、Hβ、Hγ和CH基团谱峰强度均增加,而C2基团增加显著.同时,基团谱峰相对强度比值I(Hγ)/I(Hβ)、I(C2)/I(CH)和I(C2)/I(Hα)也都随着甲烷浓度的提高而增加.I(C2)/I(CH)比值的升高不利于单晶金刚石的生长.生长速率测试表明,单晶金刚石的生长速率随I(C2)/I(Hα)比值的增大而增加,当I(C2)/I(Hα)小于0.35时,生长速率呈现指数快速增加,超过这个值之后,增长趋势变缓,生长速率呈线性增加.
关键词:
微波等离子体化学气相沉积
,
单晶金刚石
,
发射光谱
,
甲烷浓度
苏博
,
姚宁
,
鲁占灵
,
路钟杰
,
关瑞红
材料导报
利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在黑硅和抛光单晶硅片衬底上生长非晶碳薄膜,其中变量为CH4流量,分别为10sccm、14sccm、18sccm、22sccm、26sccm.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射分析(XRD)、原子力显微镜(AFM)、拉曼光谱表征了非晶碳薄膜的结构和形貌特征.结果表明,在650℃时随着CH4流量的逐渐增加,在平整的非晶碳薄膜上C-C的sp2相团簇颗粒的直径逐渐变大.AFM测试结果显示,非晶碳薄膜表面的平均粗糙度(Ra)为0.494nm.
关键词:
微波等离子体化学气相沉积
,
黑硅
,
非晶碳薄膜
,
太阳电池
张永平
,
顾有松
,
常香荣
,
田中卓
,
时东霞
,
张秀芳
,
袁磊
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.03.016
采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),使用高纯N2(99.999%)和CH4(99.9%)作反应气体,在多晶Pt(99.99%)基片上沉积C3N4薄膜X射线能谱(EDX)分析结果表明N/C原子比为1.0～1.4,接近C3N4的化学比;X射线衍射谱(XRD)说明薄膜主要由β和α-C3N4组成;X射线光电子谱(XPS)、傅立叶变换红外谱(FT IR)和喇曼(Raman)谱说明在C3N4薄膜中存在C-N键.
关键词:
微波等离子体化学气相沉积
,
β-C3N4
,
薄膜
,
超硬材料
顾广瑞
,
吴宝嘉
,
金逢锡
,
金哲
,
李哲奎
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.008
利用石英管型微波等离子体化学气相沉积装置,在Si基板上制备了具有纳米针状结构的碳膜.场发射特性测试表明,纳米针状结构碳膜具有良好的场发射特性,阈值电场为2.2 V/μm,外加电场为9 V/μm时,电流密度达到65 mA/cm2.利用统计效应修改了Fowler-Nordheim (F-N) 模型,成功地解释了在低电场区域的场发射机理.但是利用修改的F-N模型,不能解释高电场区域的电流密度的饱和现象,这将有待于进一步研究.
关键词:
场发射
,
碳膜
,
纳米针
,
微波等离子体化学气相沉积
