赵欣
,
李继定
,
陈剑
,
陈翠仙
膜科学与技术
doi:10.3969/j.issn.1007-8924.2003.06.003
在膜分离过程中,渗透物分子在聚合物膜内的扩散过程,是影响聚合物膜分离性能的关键因素.详细考察了目前被广泛使用的Vrentas-Duda扩散模型,对其进行改进,提出了新的计算ζ的公式.根据新提出的公式,对聚苯乙烯/甲苯(PS/toluene)、聚苯乙烯/乙苯(PS/ethylbenzene)、聚乙酸乙烯酯/甲苯(PVAc/toluene)3种体系中弱极性渗透物分子的扩散系数进行了预测,其较之原Vrentas-Duda扩散模型、Ju改进的Vrentas-Duda扩散模型有更好的预测结果.
关键词:
自由体积
,
扩散模型
,
聚合物膜
,
扩散系数
武高辉
,
陈苏
,
白雪
,
康鹏超
,
刘祥
,
武练梅
稀有金属材料与工程
采用XPS、SEM等技术对耗散防热材料静态氧化试验中氧化膜的生成情况及氧化微观形貌进行了研究,并提出了不同温度及不同氧化时间下Al-Mg/C耗散防热材料静态氧化的吸附模型和扩散模型.氧化模型的建立,为研究该材料的耐烧蚀性能,设计冷却剂的成分提供了相应的理论依据.
关键词:
防热材料
,
吸附模型
,
扩散模型
,
氧化模型
刘秀喜
,
王公堂
稀有金属材料与工程
依据Ga在Si中的扩散行为、开管扩Ga系统的特征及扩Ga样品的XPS、EPMA和R<,s>的测试结果分析,提出了Ga在裸Si系的扩散模型,并从机理上分析了Ga的掺杂效应.结果表明:Ga在裸Si系下扩散,易产生合金点、腐蚀坑和"白雾"等缺陷,并造成R<,s>值不均匀.扩Ga产生的缺陷与硅片的导电类型、电阻率大小、晶向和表面光洁度无关.
关键词:
Ga
,
裸Si系
,
扩散模型
,
掺杂效应
