石伟丽
,
邢志国
,
王海斗
,
李国禄
,
张建军
材料导报
简要介绍了无铅压电陶瓷的研究进展,重点介绍了BaTiO3 (BT)基、钛酸铋钠(BNT)基和铋层状无铅压电陶瓷的性能.分析了掺杂改性对BNT基和铋层状无铅压电陶瓷压电性能的影响,详细对比了无铅压电陶瓷的制备方法,为改进工艺提高压电性能提供了理论支持.展望了BT基压电材料在热喷涂领域的应用前景,并分析了亟待解决的问题.
关键词:
无铅压电陶瓷
,
压电性能
,
掺杂改性
,
制备
江良
,
李月明
,
张华
,
廖润华
,
王竹梅
,
洪燕
材料导报
综述了近年来(K,Na)NbO3基无铅压电陶瓷在掺杂改性以及晶粒定向技术制备织构化陶瓷研究的新进展,重点分析了(K,Na)NbO3基无铅压电陶瓷的K/Na比为0.5和非0.5时,陶瓷压电性能上的差异,发现K/Na比偏离0.5时,具有更为优异的压电、介电性能,最后展望了(K,Na)NbO3基无铅压电陶瓷的掺杂改性及晶粒定向技术的研究趋势.
关键词:
(K,Na)NbO3
,
掺杂改性
,
无铅压电陶瓷
,
模板晶粒定向技术
陈建群
,
马以武
功能材料
通过对厚膜电阻导电相、玻璃相的粒径控制、粒径比搭配以及在导电相、玻璃相中掺杂,研制成一种厚膜力敏电阻浆料,其应变系数GF可达15～17、工作温度可达150℃.介绍了厚膜力敏应变系数的测量方法,研究了厚膜电阻材料的物化特性对钌系厚膜电阻应变系数的影响,探讨了提高应变系数的技术途径,同时,对其导电机理作了简要的阐述.
关键词:
厚膜应变电阻
,
物化特性
,
掺杂改性
,
应变系数
崔红
,
闫联生
,
刘勇琼
,
张强
,
孟祥利
中国材料进展
陶瓷掺杂改性碳／碳（C／C）复合材料在保持C／C复合材料原有优异高温力学性能及尺寸稳定性等特性的前提下，显著提高了C／C复合材料的高温抗氧化、抗烧蚀性能，且其具有可设计性和良好的抗热震性能等优势，是新型高超声速飞行器和新一代高性能发动机热防护部件的理想候选材料。综述了国内外在SiC陶瓷掺杂改性C／C复合材料，ZrC，ZrB2超高温陶瓷掺杂改性C／C复合材料以及TaC，HfC超高温陶瓷掺杂改性C／C复合材料等方面的最新研究进展和应用情况，并分析了陶瓷掺杂改性C／C复合材料目前研究及应用中存在的主要问题和今后潜在的研究发展方向。
关键词:
高温材料
,
C/C复合材料
,
掺杂改性
,
抗氧化
黄平
,
徐廷献
材料导报
综述了FRAM用铁电薄膜的疲劳机理,对比了钙钛矿结构铁电体与铋层类钙钛矿结构铁电体的区别,介绍了铋层类钙钛矿结构铁电材料的优良抗疲劳性能与该类铁电材料结构的密切关系,和为提高铋层类钙钛矿结构铁电薄膜Bi4Ti3O12的抗疲劳性能所采取的掺杂改性的研究现状,并针对目前铁电薄膜制备中存在的问题提出了今后研究需着重解决的关键问题.
关键词:
铁电薄膜
,
疲劳
,
钙钛矿结构
,
铋层类钙钛矿结构
,
掺杂改性
周益春
,
唐明华
材料导报
铁电薄膜是具有铁电性且厚度尺寸为数纳米到数微米的薄膜材料,因其在非挥发性铁电随机存储器方面的潜在应用而受到广泛关注.综述了新型无铅、无疲劳Bi4Ti3O12(BIT)基铁电薄膜材料的制备和改性及性能表征方法,阐述了铁电薄膜的3种失效机制及铁电薄膜存储器的研究现状,最后提出了铁电薄膜及存储器今后可能的研究方向.
关键词:
铁电薄膜
,
掺杂改性
,
失效机制
,
铁电薄膜存储器
姜丹
,
周桃生
,
刘珩
,
尚勋忠
,
张蕾
,
何云斌
硅酸盐通报
采用固相烧结法合成0.97(Ba0.6Sr0.3Ca0.1)TiO3·0.03(Bi2O3·3TiO2)陶瓷材料,研究了掺杂稀土氧化物CeO2对陶瓷材料介电性能的影响.随CeO2加入量的增加,材料的介电常数先增大后减小再增大后减小,而介电损耗先减小后增大,击穿场强先增大后减小.当CeO2为0.1wt%时,介电常数最大,εr=2384.当CeO2为0.2 wt%时,获得了介电常数为1730,介电损耗为0.0060,耐压为13.125 kV/mm的高压低损耗陶瓷电容器瓷料.利用SEM分析了不同CeO2加入量时样品的断面形貌,结果表明:CeO2可以抑制晶粒生长,细化晶粒,形成固溶体,而过量的CeO2偏析于晶界.
关键词:
高压电容陶瓷
,
钛酸钡锶钙
,
掺杂改性
,
二氧化铈
吴彦霞
,
考宏涛
,
房晶瑞
,
雷本喜
,
汪澜
材料导报
采用机械共混法在TiO2载体中掺杂Al2O3、SiO2、沸石等物质进行改性.并通过比表面检测仪(BET)、X射线衍射仪(XRD)、程序升温脱附等手段对负载活性组分后的载体进行表征,考察了载体的焙烧温度及掺杂A12O3、SiO2、沸石后对负载型Mn-Ce/TiO催化剂性能的影响.
关键词:
焙烧温度
,
掺杂改性
,
Mn-Ce/TiO2
,
催化性能
