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掺铅CsI晶体中Pb2＋聚集体的发光

冯锡淇 , 赵建林 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.01.006

退火处理后的CsI:Pb晶体在10～30K温度范围内观察到两类发光:当激发波长为410nm,主要发光带在464nm附近;而当激发波长为360nm或300nm,主发射带为422nm。这两种发光带的相对强度与退火时间的长短密切相关。讨论了CsI:Pb晶体中不同的Pb2＋基聚集相的形成机制和发光机理。

关键词: 掺铅碘化铯晶体 , 退火 , Pb2+聚集体 , 发光