卫静婷
,
冯玉春
,
李炳乾
,
杨建文
,
刘文
,
王质武
,
施炜
,
杨清斗
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.06.013
通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响.根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,得到比接触电阻率(ρc)为1.09×10-5 Ω·cm2的Ni/Au-p-GaN电极,并分析了Ni在退火过程中对形成良好的欧姆接触中所起到的作用.
关键词:
p型氮化镓
,
镍/金
,
比接触电阻率