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氢退火对掺氮硅中氧施主电学行为的影响

王晓泉 , 杨德仁 , 余学功 , 马向阳 , 阙端麟

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.03.010

本文主要研究了在氢气下退火对掺氮直拉硅中热施主(TDs)和氮氧(N-O)复合体的影响.实验结果表明,在氢气下低温退火对热施主和N-O复合体的生成与在氩气下差不多.这说明低温氢退火注入到硅中的氢的量很少,不会对硅片的电阻率产生明显的影响.

关键词: , 退火 , 热施主 , 氮氧复合体 , 直拉单晶硅

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