武光明
,
朱江
,
李月法
,
贾锐
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.06.002
在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料,通过衬底的旋转与否及混合生长模式,得到了两种InAs量子点和量子线,并研究了量子点、线的光学性质.结果表明,两种方式都可生长出较强发光的量子点(线);由量子点排列构成的量子线的光致发光光谱呈现出多峰结构,分析和理论计算表明这是InAs量子线上各量子点在垂直方向上不同高度分布和非连续性而造成的.
关键词:
材料科学基础学科
,
InAs自组织量子点(线)
,
光致发光光谱
,
浸润层
孔令民
,
蔡加法
,
陈主荣
,
吴正云
,
牛智川
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.02.017
在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML的InAs层.通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形成量子点.采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比,分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程,较好地解释了实验结果.
关键词:
InAs量子点
,
浸润层
,
时间分辨谱
