赵欣
材料导报
PbI2 单晶体是性能优异的室温半导体核辐射探测器新材料.主要介绍了PbI2 晶体生长技术及其室温核辐射探测器研究发展的最新动态,综述了PbI2 晶体的3种主要生长方法(气相法、熔体法和凝胶法)的原理和优缺点,重点阐述了熔体法生长PbI2 晶体的影响因素及研究进展,提出了PbI2 单晶制备技术存在的主要问题和今后的发展方向.
关键词:
碘化铅晶体
,
室温核辐射探测器
,
生长技术
,
垂直布里奇曼法
王少丽
,
常新安
,
臧和贵
,
陈学安
硅酸盐通报
本文综述了近年来KDP和DKDP晶体生长的研究状况.为了生长大尺寸高质量的KDP和DKDP晶体,在传统溶液降温法的基础之上,研究者发明了循环流动法,连续过滤法,SR生长方法,蠕动泵加入法,光育法等一些列的新的生长方法.与此同时,籽晶形态的改进在一定程度上也实现了高效生长高质量晶体的目的.在KDP和DKDP晶体生长稳定性的影响因素研究方面,如原料的纯度,生长温度的控制,籽晶的质量和引入方式,溶液的水动力条件,溶液的氘化程度以及溶液的过饱和度等则为进一步实现生长大尺寸高质量的晶体奠定了科学的基础.另外,利用添加剂、掺质和后处理等手段进一步提高了晶体的质量.
关键词:
KDP/DKDP晶体
,
生长技术
,
稳定性
,
添加剂
,
后处理
赵希磊
,
王科范
,
张伟风
,
顾玉宗
材料导报
Sn量子点可用于制作单电子器件、高密度存储单元、红外探测器以及发射器等,具有重要的研究意义.介绍了离子注入、分子束外延、磁控溅射和固相外延等各种制备Sn量子点的生长技术,综述了Sn量子点的光学性质、电学性质以及理论计算研究结果,指出了Sn量子点研究面临的关键问题以及研究方向.
关键词:
Sn量子点
,
生长技术
,
光学性质
,
电学性质
,
理论计算
汪雷
材料导报
ZnO是一种新型的I-Ⅵ族半导体材料,目前已研究开发了许多ZnO薄膜的生长技术.其中,磁控溅射、喷雾热分解、分子束外延、激光脉冲沉积、金属有机物化学气相外延等沉积技术得到了有效应用;而一些新的工艺方法,如溶胶-凝胶、原子层处延、化学浴沉积、离子吸附成膜、离子束辅助沉积、薄膜氧化等也进行了深入研究.详细阐述了ZnO薄膜生长技术的最新研究进展.
关键词:
ZnO薄膜
,
生长技术
,
开发应用
徐家跃
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.05.014
近年来,宽带隙半导体GaN、SiC、ZnO,弛豫铁电体PZNT,热电半导体β-FeSi2,超导体MgB2等功能晶体材料引起了人们的广泛关注.这些材料大多具有非常优异的性能和巨大的应用前景,但生长工业应用的体单晶非常困难.本文从晶体生长技术角度综述了这些晶体的研究进展,结合其物理化学特性探讨了单晶生长中遇到的一些关键问题.通观这些热点单晶材料的研究现状,一方面我们可以把晶体膜的制备技术看作是传统晶体生长技术的延伸,另一方面,膜技术的发展和单晶生长中存在的问题,也是对传统生长工艺的挑战.
关键词:
半导体
,
单晶
,
生长技术
