王为
,
贾法龙
,
黄庆华
,
张伟玲
,
郭鹤桐
,
申玉田
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.03.012
对p型Bi2Te3温差电材料的电沉积过程进行了研究,分析了添加剂对电沉积过程的影响.在此基础上,以孔径为50nm的阳极氧化铝多孔膜为模板,采用直流电沉积技术,在氧化铝多孔模板的纳米级微孔内电化学组装出了p型Bi2Te3纳米线阵列温差电材料.性能研究表明,p型Bi2Te3纳米线阵列的温差电性能远远超过具有相同组成的块状温差电材料.
关键词:
p型温差电材料
,
Bi2Te3
,
电化学组装
,
纳米线阵列
潘齐超
,
陈震东
,
张亚琼
,
朱波
材料开发与应用
采用无模板电化学沉积方法制备了具有纳米点形貌的聚羟基化3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT-OH),并系统地研究了氧化电势、聚合时间、对电极与工作电极之间距离等因素对PEDOT-OH纳米结构和形貌的影响.研究发现,随着聚合时间的延长、氧化电势的增加,纳米点的尺寸增加;相反则降低.通过进一步研究具有纳米结构的PEDOT-OH的表面性质和阴极电荷储存能力,发现随着纳米点尺寸的增大,样品表面的亲水性变好,拥有纳米结构的PEDOT-OH的均一化阴极电荷储存能力要明显优于表面平滑的样品.
关键词:
聚羟基化3,4-乙烯二氧噻吩
,
电化学组装
,
电荷储存能力
,
纳米点