方亮
,
彭丽萍
,
杨小飞
,
周科
,
吴芳
材料导报
本征ZnO是高阻材料,如何对其进行掺杂,提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键.从晶体结构和能带结构、影响光电性能的因素、透明导电机制、提高光电性能的途径等方面综述了In掺杂ZnO(ZnO:In)薄膜光电性能的研究进展,提出了降低ZnO:In薄膜电阻率和提高透光率的有效途径,并对未来的发展方向进行了简要说明.
关键词:
宽禁带半导体材料
,
ZnO:In薄膜
,
光学性质
,
电学性质
李爱丽
,
闫金良
,
石亮
,
刘建军
人工晶体学报
采用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Cu靶的方法在不同基底温度下制备了ZnO/Cu/ZnO多层膜.用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外可见分光光度计和四探针测试仪对样品的性能进行了表征.结果表明,随着基底温度的升高,ZnO层c轴择优取向明显,结晶程度变好,Cu层的结晶性先变好后逐渐变差;多层膜表面均方根粗糙度随基底温度的升高而增加;光学透过率随基底温度的升高逐渐增大,基底温度为300 ℃时最大透过率接近90%;面电阻随基底温度的升高逐渐增加,最小面电阻为12.4 Ω/□.
关键词:
透明导电膜
,
多层膜
,
光学性质
,
电学性质
杨春秀
,
闫金良
,
刘金浩
,
王立志
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.03.021
利用传统的陶瓷制备工艺制备了Sr掺杂的WO3陶瓷样品,测量了样品的显微结构和电学性质.结果表明,对于Sr掺杂来说,浓度为2 mol%是一个临界点,在这一点处电学性质和微观结构都将发生显著的变化.掺杂浓度为0.2 mol%的样品表现出较高的非线性系数8.7.实验中发现部分样品表现出电学的不稳定性,我们认为这种不稳定性与相共存以及由此导致的极化有关.
关键词:
三氧化钨
,
电学性质
,
非线性
,
极化
赵银女
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.018
用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO靶材在石英玻璃衬底制备Ga2 O3 /ITO周期多层膜.样品在300～800℃真空退火1小时,研究退火温度对薄膜光学和电学性能的影响.400℃退火的Ga2O3/ITO周期多层膜面电阻和电阻率低至68.76Ω/□和3.47×10-3Ω·cm,载流子浓度和霍尔迁移率高达1.30×1020 cm-3和14.02cm2 V-1 s-1.退火温度超过500℃后,Ga2O3膜层和ITO膜层之间开始相互扩散,薄膜结晶质量和导电性变差.所有退火薄膜在紫外-可见光范围的平均光学透过率高于83％,光学带边吸收随退火温度增加发生蓝移,光学带隙从4.59eV增加到4.78eV.
关键词:
磁控溅射
,
多层膜
,
透明导电膜
,
退火
,
光学性质
,
电学性质
王朋乔
,
谢泉
,
罗倩
材料导报
β-FeSiz是一种新的环境友好型半导体材料,通过在β-FeSi<,2>中掺入不同的杂质,可制成P型或n型半导体.从掺杂β-FeSi<,2>的制备技术、电学性质、光学性质和热电性质等几个方面介绍了掺杂β-FeSi<,2>的发展状况,并展望了掺杂β-FeSi<,2>的研究方向.
关键词:
掺杂β-FeSi2
,
制备技术
,
电学性质
,
光学性质
,
热电性质
孟健
,
车平
,
冯静
,
王静平
,
吕敏峰
,
刘见芬
,
武志坚
,
曹学强
功能材料
化合物的导电性包括电子(空穴)导电及离子导电两大部分.新材料的发展已将化合物的电学性质提到了急需研究的位置.随着对化合物电学性质研究的不断深入,发现了许多新现象,新性质和新材料,如氧化物高温超导体,稀土半导体,稀土巨磁阻材料等.这些都是电子(空穴)导电的实际应用.而由于新能源探索需适应保护环境的需要,传统的氧离子和质子导体成了人们的首选研究对象,以开发它们在燃料电池、氧分离膜,催化等方面的实际应用.由于不等价置换,价态变化及氧离子具有大的双电荷与阳离子基体的强相互作用及高迁移率,使得大多数的研究工作集中于化合物的结构畸变分析及精化,试图发现新的结构相或者新的电学材料.
关键词:
晶体结构
,
稀土化合物
,
电学性质
,
半导体
杨雪娜
,
黄柏标
,
尚淑霞
功能材料
采用化学溶液沉积法,在Si[100]衬底上制备了掺La的(Bi0.8La0.2)2Ti2O7薄膜,研究了退火温度对薄膜结晶性及电学性能的影响.研究发现,随着退火温度的升高,样品的结晶性越来越好;漏电流密度随之降低,表明绝缘性逐渐增强.实验证明该薄膜具有良好的绝缘性和较高的介电常数.
关键词:
薄膜
,
退火温度
,
X射线衍射
,
电学性质
吴渊文
,
张燕辉
,
陈志蓥
,
王彬
,
于广辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.04.008
采用化学气相沉积技术(CVD)在铜箔衬底上实现了石墨烯单晶畴的可控生长,并用两步生长法制备了不同单晶畴尺寸的多晶石墨烯连续膜.利用光学显微镜和拉曼光谱仪对石墨烯的形貌和结构进行了表征.通过对转移到Si02衬底上石墨烯连续膜的霍尔测试发现,石墨烯晶畴尺寸变化对其连续膜的电学性能影响显著.石墨烯连续膜的晶畴尺寸越大,其方块电阻越小,载流子迁移率越高.
关键词:
石墨烯
,
单晶
,
化学气相沉积
,
拉曼
,
电学性质
高玉竹
,
周冉
,
龚秀英
,
杜传兴
材料热处理学报
研究长波长InAsSb半导体材料在退火处理前、后,傅里叶变换红外(FTIR)透射光谱、组份元素In、Sb和As在外延层中的分布以及电学性质的变化.用熔体外延(ME)技术,在InAs衬底上生长InAs0.05Sb0.95外延层,外延层的厚度达到100 pm.在350℃下,在氢气氛中对样品进行了11h的退火.测量结果表明,退火处理使InAsSb样品的电子迁移率从300 K下的43600 cm2/(V·s)提高到77 K下的48300 cm2/(V·s),材料的电学性能及元素分布均匀性得到了明显改善.
关键词:
InAsSb
,
退火处理
,
元素分布
,
电学性质
陈息林
,
余涛
,
吴雪梅
,
董尧君
,
诸葛兰剑
功能材料
利用双离子束沉积设备在p-Si（100）衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能量200eV下制备的Ta2O5薄膜具有最小的表面粗糙度和优异的界面特性。由C-V/I-V特征曲线表明,辅源能量200eV下制备的Ta2O5基MOS电容具有最小的平带电压偏移量、氧化层电荷密度以及漏电流。研究表明合适的辅源能量可有效改善薄膜生长机制,使薄膜由类岛状沉积转化为层状生长,从而提高晶粒均匀性、薄膜平整度以及致密性,使薄膜具有较好的电学性质。
关键词:
高k栅介质
,
Ta2O5
,
MOSFET器件
,
微结构
,
电学性质
