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BaTiO3-Nb2O5-Fe2O3陶瓷介电性能的研究

蒲永平 , 王瑾菲 ,

人工晶体学报

利用传统方法制备了BaTiO3-Nb2O5-Fe2O3(BTNF)陶瓷,采用X射线衍射仪、电容测试仪、电滞回线测量仪等测试手段研究了不同添加剂(Fe2O3、Co2O3、Nb2O5)对陶瓷晶体结构、介电性能及铁电性的影响.结果表明:Nb2O5是施主掺杂,易引起晶格畸变,使四方率增大;而Fe2O3为受主掺杂,其可提高氧空位浓度,促进BaTiO3陶瓷晶粒生长.同时掺杂Fe2O3、Nb2O5时,可以相互补偿.当Fe2O3浓度约为0.15%摩尔分数,Nb2O5浓度为0.79%摩尔分数时,陶瓷的介电常数达到4443,温度特性≤±10%,可以满足Y5P瓷料的要求.

关键词: BaTiO3 , 电容器陶瓷 , 添加剂 , 介电性能

Bi4Ti3O12掺杂BST陶瓷性能和结构的研究

黄新友 , 高春华 , 陈志刚

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2010.z2.005

采用固相法,利用X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等测试分析方法系统研究了Bi4Ti3O12掺杂量(质量分数,下同)(18%~50%)对(Ba0.71Sr0.29)TiO3 (BST)基电容器陶瓷介电性能和结构及烧结温度的影响.研究结果表明:随着Bi4Ti3O12掺杂量的增加,BST陶瓷的晶粒尺寸先减小然后增大.在BhTi3O12掺杂量的范围内,BST陶瓷的物相均为Bi4Ti3O12和BST的混合相,随着Bi4Ti3O12掺杂量的增加,Bi4Ti3O12相逐渐增多.随着Bi4Ti3O12掺杂量的增加,BST陶瓷的介电常数(ε)逐渐减小;介质损耗(tarδ)均较小(0.0050~0.0075),呈先减小后增大的趋势;烧结温度逐渐降低,当Bi4Ti3O12掺杂量为50%时,烧结温度为1090℃.随着Bi4Ti3O12掺杂量的增加,BST陶瓷的容温变化率(AC/C)绝对值在正温范围内(25~125℃)逐渐减小,容温变化率(△C/C)在负温范围内(-55~25℃)先减小然后上升再下降.当Bi4Ti3O12掺杂量为26%时,BST陶瓷综合性能较好,其介电常数为1700,介质损耗为0.006,容温变化率的绝对值小于15%(-55~125℃),符合X7R特性,耐直流电压为5.0kV/mm,烧结温度为1120℃.

关键词: 电容器陶瓷 , 钛酸锶钡 , Bi4Ti3O12掺杂 , 介电性能

Nb/Co比对钛酸钡锶电容器陶瓷性能的影响

黄新友 , 陈志刚 , 李军 , 高春华

稀有金属材料与工程

研究了Nb2O5/Co2O3摩尔比(简称Nb/Co比,下同)对(Ba,Sr)TiO3(Barium Strontium Titanate,BST)铁电电容器陶瓷介电性能的影响,得到不同Nb/Co比与BST陶瓷性能的关系.借助扫描电镜(SEM)研究Nb/Co比对BST陶瓷微观结构的影响,采用X射线衍射(XRD)分析了BST陶瓷物相组成,探讨了Nb/Co比对BST陶瓷性能影响的机理.结果表明:当Nb/Co比为1.1,可得到满足X7R特性、介电常数为2449、耐压为5 MV/m以上综合性能好的BST陶瓷.Nb/Co比增大对BST陶瓷性能的影响是通过阻止晶粒生长、致密化、(适当增加Nb/Co比能细晶化、过量增加Nb/Co比导致少量晶粒异常长大、)宽化介电常数温度曲线、改善介电常数温度特性、减少介电常数、形成杂相、形成"晶核-晶壳"结构等进行.通过研究获得高介高压高稳定电容器陶瓷.

关键词: 氧化铌 , 氧化钴 , 电容器陶瓷 , 钛酸钡锶 , 陶瓷

Bi4Ti3O12掺杂中温烧结(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷

高春华 , 黄新友 , 陈志刚 , 陈祥冲 , 黄国军

稀有金属材料与工程

研究了Bi4Ti3O12掺杂量(≥8%,质量分数)对(Ba,Sr)TiO3(Barium Strontium Titanate,BST)铁电电容器陶瓷介电性能的影响,得到不同Bi4Ti3O12掺杂量与BST陶瓷性能的关系,得到中温烧结(≤1150℃)、高压(≥6.99MV/m)、低损耗(0.008)、符合X7R特性的多层陶瓷电容器瓷料.借助扫描电镜(SEM)研究了Bi4Ti3O12对BST陶瓷微观结构的影响,探讨了Bi4Ti3O12掺杂量对BST陶瓷性能和结构影响机理.结果表明:Bi4Ti3O12是通过与BST形成核-壳结构、形成玻璃相、偏析晶界及抑制晶粒生长、改善介温特性等来影响瓷料性能和结构的.这些结果为Bi4Ti3O12掺杂改性BST电容器陶瓷提供一定的依据.

关键词: 中温烧结 , 电容器陶瓷 , 钛酸钡锶 , 陶瓷 , 钛酸铋

Nb2O5/Co2O3加入量对(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷介电性能的影响

黄新友 , 陈志刚 , 李军 , 高春华

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.042

研究了Nb2O5/Co2O3加入量[质量分数,Nb/Co(摩尔比)=0.8]不同对(Ba,Sr)TiO3(Barium strontium titanate,BST)铁电电容器陶瓷介电性能的影响,得到不同Nb2O5/Co2O3加入量与BST陶瓷性能的关系.借助扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)研究不同Nb2O5/Co2O3加入量对BST陶瓷显微结构和物相的影响,探讨了Nb2O5/Co2O3加入量对BST陶瓷性能影响机理.结果表明:当Nb2O5/Co2O3加入量为1.0%时,可得到满足Y5V特性、介电常数为3934、介质损耗为2.6%综合性能好的BST陶瓷.Nb2O5/Co2O3加入量对BST陶瓷性能的影响是通过细晶化、压抑展宽居里峰、改善介电常数温度特性、减少介电常数、形成杂相、形成"晶核-晶壳"结构等进行.

关键词: 氧化铌 , 氧化钴 , 电容器陶瓷 , 钛酸钡锶 , 陶瓷

Nb/Co比对钛酸钡锶电容器陶瓷性能的影响

黄新友 , 陈志刚 , 李军 , 高春华

稀有金属材料与工程

研究了Nb2O5/Co2O3摩尔比(简称Nb/Co比,下同)对(Ba,Sr)TiO3(Barium Strontium Titanate,BST)铁电电容器陶瓷介电性能的影响,得到不同Nb/Co比与BST陶瓷性能的关系.借助扫描电镜(SEM)研究Nb/Co比对BST陶瓷微观结构的影响,采用X射线衍射(XRD)分析了BST陶瓷物相组成,探讨了Nb/Co比对BST陶瓷性能影响的机理.结果表明:当Nb/Co比为1.1,可得到满足X7R特性、介电常数为2449、耐压为5 MV/m以上综合性能好的BST陶瓷.Nb/Co比增大对BST陶瓷性能的影响是通过阻止晶粒生长、致密化、(适当增加Nb/Co比能细晶化、过量增加Nb/Co比导致少量晶粒异常长大、)宽化介电常数温度曲线、改善介电常数温度特性、减少介电常数、形成杂相、形成"晶核-晶壳"结构等进行.通过研究获得高介高压高稳定电容器陶瓷.

关键词: 氧化铌 , 氧化钴 , 电容器陶瓷 , 钛酸钡锶 , 陶瓷

CaTiSiO5掺杂对钛酸钡锶陶瓷介电性能的影响

吕淑珍 , 徐锭成 , 郭淑婧 , 黄新友

硅酸盐通报

采用传统固相烧结法,利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等方法系统研究了CaTiSiO5掺杂量对(Ba,Sr) TiO3(barium strontium titanate,BST)基电容器陶瓷介电性能和微观结构的影响.结果表明:CaTiSiO5掺杂的BST陶瓷材料的介电损耗都比较小,但是对材料居里峰的移动和展宽效应都明显.随着CaTiSiO5掺杂量的增加,BST陶瓷的介电常数(εr)先增大然后减小,介电损耗(tanδ)先增大然后减小,变化不大,交流耐压强度(Eb)先增大然后减小,容温变化率先减小然后增大.当掺杂CaTiSiO5质量分数为0.8%时,BST陶瓷的综合介电性能较好:介电常数(εr)=2540,介电损耗(tanδ)=0.0036,耐压强度(Eb)=5.6 kV/mm(AC),在-30~85℃温度范围内,容温变化率为-18.9% ~ 20.6%,容温特性符合Y5S特性.

关键词: 电容器陶瓷 , CaTiSiO5掺杂 , 钛酸钡锶 , 介电性能

Bi4Ti3O12掺杂中温烧结(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷

高春华 , 黄新友 , 陈志刚 , 陈祥冲 , 黄国军

稀有金属材料与工程

研究了Bi4Ti3O12掺杂量(≥8%,质量分数)对(Ba,Sr)TiO3(Barium Strontium Titanate,BST)铁电电容器陶瓷介电性能的影响,得到不同Bi4Ti3O12掺杂量与BST陶瓷性能的关系,得到中温烧结(≤1150℃)、高压(≥6.99MV/m)、低损耗(0.008)、符合X7R特性的多层陶瓷电容器瓷料.借助扫描电镜(SEM)研究了Bi4Ti3O12对BST陶瓷微观结构的影响,探讨了Bi4Ti3O12掺杂量对BST陶瓷性能和结构影响机理.结果表明:Bi4Ti3O12是通过与BST形成核-壳结构、形成玻璃相、偏析晶界及抑制晶粒生长、改善介温特性等来影响瓷料性能和结构的.这些结果为Bi4Ti3O12掺杂改性BST电容器陶瓷提供一定的依据.

关键词: 中温烧结 , 电容器陶瓷 , 钛酸钡锶 , 陶瓷 , 钛酸铋

Bi3NbZrO9掺杂对BST电容器陶瓷介电性能的影响

吕淑珍 , 徐锭成 , 徐海洋 , 黄新友

硅酸盐通报

采用传统固相烧结法,利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等方法系统研究了Bi3NbZrO9掺杂量对(Ba,Sr) TiO3(barium strontium titanate,BST)基电容器陶瓷介电性能和微观结构的影响.结果表明:Bi3NbZrO9掺杂没有改变BST陶瓷主晶相,随着掺杂量的增加会出现一些杂相.Bi3NbZrO9掺杂BST陶瓷具有小的介质损耗值,对材料居里峰的移动和展宽效应明显.Bi3NbZrO9掺杂量为lwt%时,烧结温度为1280℃,BST陶瓷具有较佳的介电性能:介电常数(εr) =2325,介质损耗(tanδ)=0.0048,耐压强度(Eb) =7.8 kV/mm(AC),-30 ~ 85℃温度范围内,容温变化率(△C/C)为-12.9%~ 14.3%.

关键词: 电容器陶瓷 , Bi3NbZrO9掺杂 , 钛酸钡锶 , 介电性能

碳酸钡特性对高介钛酸钡陶瓷性能的影响

刘宏波 , 胡海兵 , 于昕哲

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2008.02.018

分析了不同产地的碳酸钡原料的物理特性及不同碳酸钡对陶瓷性能的影响.结果表明,杂质含量低、球形颗粒的碳酸钡原料能显著降低陶瓷的水煮损耗,但陶瓷水煮损耗异常和其致密性不存在对应关系.颗粒细小的碳酸钡原料能使介电温谱变得更平缓.

关键词: 无机非金属材料 , 电容器陶瓷 , 碳酸钡 , 水煮损耗

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