何少伟
,
黄鹰
,
戴君
,
赖建军
,
王兴治
,
易新建
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2007.06.010
用离子束溅射和后退火工艺制备了一种适用于微测辐射热探测器热敏材料的新型纳米结构二氧化钒(VO2)薄膜材料,薄膜具有平均粒度8 nm,在半导体相区具有电阻温度系数(TCR)为-7%/K,性能高于传统的VO2材料(平均粒度为1-2μm,在半导体相区具有TCR约为-2%/K).基于纳米结构的VO2薄膜材料的器件比基于传统的VO2薄膜材料具有更高的性能,而两者的噪声基本相当.
关键词:
无机非金属材料
,
纳米二氧化钒薄膜
,
非致冷红外探测器
,
电阻温度系数(TCR)
李云龙
,
付花睿
,
张霄
,
周广迪
,
游才印
,
沈乾龙
金属功能材料
doi:10.13228/j.boyuan.issn1005-8192.2016081
采用直流反应磁控溅射法在不同氧分压气氛下制备了氧化钒薄膜,并进行后续真空退火处理.分别利用X-射线衍射仪,扫描电子显微镜和综合物性仪分析薄膜的相成分、表面形貌以及电性能.结果表明:随着氧分压的增加,450℃退火1h的薄膜逐渐由非晶态转变为VO2(M),VO2(M,B)和V6O13的混合结构,并且晶化程度逐渐提高.氧分压6.67％的薄膜相转变温度(TMST)接近52℃,SEM分析表明,微裂纹的存在为相转变时应力释放提供空间,降低了TMST.氧分压10％的薄膜具有-2.38 ％/K的电阻温度系数(TCR)值和1.67×104 Ω的室温电阻值,满足制备非致冷红外探测器的要求.
关键词:
氧化钒薄膜
,
相转变温度
,
电阻温度系数(TCR)
,
磁控溅射
