胡永明
,
王钊
,
顾豪爽
,
王雨
材料导报
以水热纳米粉为前驱粉料,采用传统烧结工艺在950℃制备了致密性高、具有亚微米尺寸晶粒的钛酸铅(PbTiO3)陶瓷,并对其介电温谱和压电响应特性进行了系统的研究.结果表明,PbTiO3陶瓷在低温下的相对介电常数与测试频率无关,在室温以上,随着频率的增加,介电峰值向低温方向移动;压电力显微镜研究结果显示PbTiO3陶瓷中具有明显的微区极化翻转,表明具有较好的铁电性能.
关键词:
钛酸铅
,
PFM
,
畴结构
,
极化翻转
赵志伟
,
姜彦岛
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.02.014
本文回顾了(Nd3+,Yb3+):Ca3(VO4)2晶体的研究历程,通过对晶体结构和对晶体激光性能研究年代的对比,认为高的泵浦阈值是由于晶体中存在的对泵浦光和激光散射很强的畴壁结构未被发现而造成的.讨论了极化的原理、建立了极化装置,采用Laue定向法和X射线定向仪定向法结合解决了(Nd3+,Yb3+):Ca3(VO4)2这种大晶格常数(c＝3.8029nm)晶体的定向问题.把晶体的抛光面放入0.5mol%的温度为30℃的硼酸中腐蚀样品1h,用显微镜可以观察到畴结构.在～1100℃和电流密度为～10μA/mm2的条件下极化2h即可完成极化.变黑的极化样品可以通过把晶体放入马福炉中升温至850℃,保持1h,然后降至室温即可消除.
关键词:
Laue定向
,
X射线单色仪定向
,
畴结构
,
极化
,
稀土掺质激光晶体
金敏
,
徐家跃
,
申慧
,
陆宝亮
人工晶体学报
采用化学腐蚀方法研究了坩埚下降法生长的PZNT93/ 7晶体(001)晶面的腐蚀行为.在PZNT晶体表面观察到反平行180°原生态铁电畴,在抛光样品表面观察到位错蚀坑、包裹物、机械加工划痕等缺陷形貌,并对腐蚀机理进行了探讨.化学腐蚀还揭示了微观畴的动力学变化,显示畴结构对环境变化十分敏感.
关键词:
PZNT93/7晶体
,
化学腐蚀法
,
畴结构
,
腐蚀坑
孙志洁
,
李洪涛
,
叶少剑
,
蔡伟
,
赵连城
功能材料
采取中频加热和TSSG的方法,从掺入了6%(质量分数)K2O的同成分Li2O-Nb2O5熔体中生长出了近化学计量比铌酸锂单晶,其铁电畴结构为单畴结构,居里温度为1191.5℃.在此基础上,分别掺入0.05%(质量分数),0.16%(质量分数)和0.32%(质量分数)的氧化锰,生长了掺Mn近化学计量比的铌酸锂晶体,其铁电畴结构也均为单畴结构,居里温度分别为1195.3、1201.5和1219℃.对这4个晶体进行的红外光谱测试的结果表明:均在3466cm-1有一吸收峰.通过二波耦合实验,我们对不同掺杂浓度的4种晶体进行了光折变性能测试.
关键词:
化学计量比铌酸锂晶体
,
畴结构
,
居里温度
,
锰掺杂
,
二波耦合
李丽娅
,
易健宏
,
葛毅成
,
彭元东
中国有色金属学报
采用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、磁力显微镜(MFM)和原位X射线衍射(XRD)等探讨Sm2Co17型稀土永磁材料的胞状结构、畴结构和相结构及其对磁性能的影响,制备使用温度为500 ℃的高温稀土永磁材料.结果表明,Sm(CoFe0.11Cu0.10Zr0.03)7.5具有很好的高温稳定性,500 ℃时的磁性能为:Br=0.708 T,Hci=646.7 kA/m,BHmax=85.4 kJ/m3;其磁畴宽度远小于晶粒尺寸,但大于胞状结构的尺寸,使用温度较高的磁体具有较小的磁畴和胞状结构;当使用温度小于300 ℃时,Sm2Co17型磁体内存在的相结构为2-17R、2-17H和1-5相,矫顽力主要受1-5相的钉扎而产生;当300 ℃＜t＜tc1:5时,部分1-5相转变成中间相并最终转变成2-7相,磁体的矫顽力将由1-5相钉扎和2-7相形核所控制;当t≥tc1:5时,磁体的矫顽力将全部由非磁性1-5相和2-7相形核所控制.
关键词:
Sm2Co17型高温稀土永磁
,
胞状结构
,
畴结构
,
矫顽力
王海丽
,
杭寅
,
张连瀚
,
祝世宁
,
徐军
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.05.037
利用提拉法, 从掺入11mol%K2O和1mol%MgO的化学配比LiNbO3熔体中生长了高质量的掺镁近化学计量比LiNbO3晶体.与同成分LiNbO3晶体相比, 紫外吸收边发生明显蓝移, OH-红外吸收峰的位置和波形也发生了显著的变化, 初步断定晶体中Mg2+的掺杂浓度已达到抗光伤阈值浓度.酸腐蚀结果表明, 晶体具有区域性单畴结构.
关键词:
LiNbO3晶体
,
近化学计量比
,
吸收光谱
,
畴结构
涂小牛
,
郑燕青
,
陈辉
,
孔海宽
,
忻隽
,
曾一明
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01257
采用提拉法生长了高掺镁铌酸锂晶体,并采用高温极化法使晶体单畴化.为研究晶体的成分均匀性、光学均匀性及铁电畴均匀性,采用光谱、激光干涉、电子探针、显微观察等表征手段测定与观察了晶体的紫外吸收边、OH吸收峰、折射率梯度Δn、晶体径向上的微观成分及晶体的铁电畴结构.结果表明:通过采用合适的生长组分和改进提拉法生长工艺获得了高质量的高掺镁铌酸锂晶体.晶体的紫外吸收边位于308nm附近,OH吸收峰位于高抗光损伤阈值特征峰2828 nm处,光学均匀性达Δn<5011×10-5.在1200℃下通过外加电场极化获得了高均匀性且完全单畴的铁电畴结构.
关键词:
高掺镁铌酸锂晶体
,
紫外吸收边
,
OH吸收峰
,
畴结构
,
光学均匀性
姚淑华
,
胡小波
,
高磊
,
刘宏
,
王继扬
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.027
利用提拉法,从富锂(Li2O:Nb2O5=58.5:41.5)熔体中生长了φ40mm×40mm的近化学计量比铌酸锂晶体.用同步辐射异常散射技术结合化学腐蚀法观察了晶体中的畴结构,在y方向发现存在180°反向铁电畴结构,而另外的N-SLN单晶z向切片为单畴结构,表明了所生长的近化学计量比铌酸锂晶体具有区域性单畴.
关键词:
近化学计量比LiNbO3晶体
,
异常散射
,
畴结构
倪友保
,
吴海信
,
耿磊
,
王振友
,
毛明生
,
程干超
,
黄飞
人工晶体学报
利用本实验室生长的红外非线性晶体材料AgGaGeS_4(AGGS),常温下进行腐蚀实验并观察畴结构,测试了不同频率、电压下晶体的电滞回线以及同一电压下不同频率介质的电容值.腐蚀图像显示出畴结构,畴尺寸5～10 μm左右,证实AGGS为一热释电晶体.然而,室温下的电滞回线变形为一近似椭圆,介质电容与电场频率关系表现出强色散特性.本文对这一现象进行了系统分析,最后提出了进一步探索AGGS铁电性质的具体建议.
关键词:
AGGS晶体
,
介电性能
,
畴结构
肖敬忠
,
殷绍唐
,
田玉莲
,
朱佩平
,
张新夷
功能材料
应用环境扫描电子显微术(ESEM)、原子力扫描显微术(AFM)、同步辐射白光形貌术(SRWBT)等形貌成像技术研究了0.92PZN-0.08PT晶体的表面缺陷形态与铁电畴结构.通过对畴结构动态演化的同步辐射形貌观察,可揭示出该晶体的结构相变过程.
关键词:
弛豫型铁电晶体
,
缺陷
,
畴结构
