张修丽
,
孙晓慧
,
李明扬
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2009.01.004
恒塑性应变幅循环加载条件下,单滑移取向的Cu单晶体出现驻留带(Persistent Slip Bands,PSBs).在铜的(0.3～0.5)TmK中温回复区内,对疲劳Cu单晶进行不同温度和时间的真空保温处理,观察PSBs结构在热激活条件下的变化及材料的寿命估计.结果显示,中温回复过程中,由于弹性力、渗透力与林位错阻碍力的交互作用促使PSBs中的位错通过空位的放出和湮灭而运动,并使PSBs的位错墙由弯曲到变细最后分段消失,位错密度快速下降.中温回复后材料寿命得到延长.
关键词:
驻留滑移带
,
中温回复
,
位错结构演变
,
疲劳Cu单晶
杨继红
,
李勇
,
李守新
,
马常祥
,
王刚
,
柯伟
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.05.013
利用扫描电镜电子通道衬度(SEM ECC)技术,对单滑移取向疲劳Cu单晶从基体脉络位错结构到驻留滑移带(PSBs)位错结构的演化进行了观察且对这个演化过程中典型的位错结构进行了模拟计算,给出了PSBs演化过程中典型位错结构内应力场的分布结果表明:在从基体脉络位错结构到PSBs位错结构的演化过程中,内应力的分布是不均匀的,位错密集区域(基体脉络和PSBs墙中)比位错贫乏区域(通道中)平均内应力分布相对集中,PSBs夹层与基体相比平均内应力的分布相对较弱,PSBs与基体边界处存在很大的应力差.由观察和计算结果对PSBs演化给出了一个新的可能的演化机制
关键词:
疲劳Cu单晶
,
驻留滑移带的演化
,
内应力场
,
位错结构模拟
杨继红
,
李勇
,
李守新
,
马常祥
,
王刚
,
柯伟
金属学报
利用扫描电镜电子通道衬度(SEM ECC)技术,对单滑移取向疲劳Cu单晶从基体脉络位错结构到驻留滑移带(PSBs)位错结构的演化进行了观察且对这个演化过程中典型的位错结构进行了模拟计算,给出了PSBs演化过程中典型位错结构内应力场的分布结果表明:在从基体脉络位错结构到PSBs位错结构的演化过程中,内应力的分布是不均匀的,位错密集区域(基体脉络和PSBs墙中)比位错贫乏区域(通道中)平均内应力分布相对集中,PSBs夹层与基体相比平均内应力的分布相对较弱,PSBs与基体边界处存在很大的应力差.由观察和计算结果对PSBs演化给出了一个新的可能的演化机制
关键词:
疲劳Cu单晶
,
null
,
null
