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AlN陶瓷粉末制备方法特点和进展

林健凉 , 曲选辉 , 黄栋生 , 秦明礼 , 李笃信

功能材料

本文就国内外AlN粉末合成的研究情况,综述了直接氮化法、Al2O3碳热还原法、自蔓延高温合成法、等离子体法、气溶胶法等主要的几种AlN粉末制备方法的特点和研究进展,分析了制备AlN粉末的主要发展方向.

关键词: 氮化铝(AlN) , 粉末制备 , 直接氮化法 , A12O3碳热还原法

TiN粉末的制备方法

李吉利 , 蒋明学

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2011.05.018

简要介绍了TiN的性能及主要用途,分析和阐述了TiN粉末制备的研究现状及发展趋势,重点讨论了碳热还原氮化合成TiN粉末存在的问题和前景.

关键词: TiN粉末 , 制备 , 碳热还原氮化法 , CVD法 , 直接氮化法

直接氮化法制备氮化铝粉末的结构特性

马超 , 陈光德 , 苑进社 , 刘菲菲

功能材料

用金属镁(Mg)作催化剂,氮气和铝块为反应物,采用直接氮化法制备出氮化铝(AlN)粉末样品。运用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱仪(Raman)对样品进行结构特性分析发现,AlN样品为纯六方相结构,呈现纳米线堆积形貌,纳米线直径约60nm,且尺寸均匀。拉曼散射光谱峰值较单晶AlN向低波数方向移动,表明此方法制备的AlN纳米线存在表面拉应力。

关键词: 氮化铝 , 纳米线 , 直接氮化法 , 金属催化

铝粉直接氮化法制备氮化铝粉末

姜珩 , 康志君 , 谢元锋 , 夏扬 , 吕宏

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.03.010

采用直接氮化法对铝粉进行氮化,分别研究了添加剂、反应温度、保温时间对合成产物的影响.运用扫描电镜(SEM)、X射线衍射物相分析(XRD)、X射线荧光光谱分析(XRF)对合成产物进行了表征,研究结果表明:提高反应温度、延长保温时间可以有效促进铝粉转化为氮化铝,提高合成产物的氮含量.同时提高反应温度可以促进添加剂的挥发,减小杂质元素的残留量.在1000℃下保温3h后,对多孔疏松的合成产物进行球磨24h处理,最终可以得到氮含量大于32%,Cl的残余含量低于0.3%,K的残余含量低于0.1%,平均粒度小于2μm氮化铝粉末.同时在多孔疏松状合成产物表面观察到了氮化铝晶须的存在,这说明铝粉直接氮化法也可以制备出氮化铝晶须.

关键词: 氮化铝粉末 , 直接氮化法 , 添加剂 , 氮化铝晶须

双重辅助氮化添加剂低成本制备AlN粉体材料

李阳 , 陈奎 , 张越嫦

人工晶体学报

采用镁粉(Mg)和氯化铵粉末(NH4Cl)做双重辅助添加剂,铝粉与氮气为反应物,采用直接氮化法制备出低成本的氮化铝粉末样品.采用XRD和SEM分别进行了物相分析与形貌观察,并分析了Mg和NH4 Cl的双重辅助氮化作用.结果表明,Mg和NH4Cl是两种低残留添加剂,在氮化过程中,能有效阻止铝粉溶化结块,得到的反应产物为含有极少量残余铝成分的蓬松多孔状的氮化铝粉末,其表面堆积AlN晶须.然后通过酸洗工艺去除未反应完全的残余铝粉,酸洗后的反应产物为纯度高、颗粒细小、粒度均匀的AlN粉末.

关键词: 直接氮化法 , AlN , 低残留添加剂 , 残余铝粉 , 酸洗

直接氮化法制备Si3N4粉体过程研究

刘松喆 , 季惠明 , 梁辉 , 马艳红

稀有金属材料与工程

采用直接氮化的工艺方法,以Si粉为初始原料,采用Fe粉为催化剂,在高温下直接进行氮化,制备了Si3N4粉体.着重讨论了催化剂含量和氮化工艺条件对粉体的氮化率、粒径、形貌和相含量等方面的影响.实验结果表明:催化剂含量,球磨工艺,烧结制度是影响Si3N4粉体最终性能的3个主要因素,并且在掺杂Fe为0.5%,球磨时间为2h,采用分阶段保温升温的方法,在氮化温度为1400~1350℃下氮化2~3 h,制备了氮化率95%左右,α相含量接近90%,形状为等轴状的Si3N4粉体.

关键词: Si3N4粉体 , 直接氮化法 , 催化剂Fe , 工艺条件

直接氮化法制备纳米晶TiN薄膜

姜洪波 , 高濂 , 李景国

无机材料学报

首先采用溶胶-凝胶法在Al2O3基体上制备了TiO2纳米晶薄膜,然后在管式气氛炉中,用氨气作为还原剂,直接氮化制备TiO2纳米晶薄膜;从而成功地在α-Al2O3陶瓷基片上制备了纳米晶TiN薄膜.利用XRD、XPS、FE-SEM等分析技术,研究了制备的纳米晶TiN薄膜的相组成及形貌.结果表明最佳工艺条件为:氮化温度为700℃,氮化时间为1h.

关键词: 直接氮化法 , nanocrystalline TiN film , Ti02 film

电弧放电等离子体法合成立方相氮化铬纳米粉

沈龙海 , 崔启良

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00411

采用电弧放电等离子体方法,通过金属铬和氮气的直接反应合成了粒度小于10nm的纯立方相氮化铬(CrN)纳米粉.利用X射线衍射分析(XRD)、透射电镜(TEM)和傅立叶变换红外光谱(FT-IR)对不同氮气压下形成的产物进行了表征.研究了氮气压和氨气的加入对形成立方相CrN纳米晶的影响.研究结果表明:相对较低的N2气压(5~20kPa) 有利于金属Cr向立方CrN的转化,可以使更多的氮原子结合到金属Cr的格子中去;活性氮源(氨气)的加入降低了金属Cr的氮化.

关键词: 直接氮化法 , CrN , nanocrystals powders

直接氮化法制备纳米晶TiN薄膜

姜洪波 , 高濂 , 李景国

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.02.040

首先采用溶胶-凝胶法在Al2O3基体上制备了TiO2纳米晶薄膜,然后在管式气氛炉中,用氨气作为还原剂,直接氮化制备TiO2纳米晶薄膜;从而成功地在α-Al2O3陶瓷基片上制备了纳米晶TiN薄膜.利用XRD、XPS、FE-SEM等分析技术,研究了制备的纳米晶TiN薄膜的相组成及形貌.结果表明最佳工艺条件为:氮化温度为700℃,氮化时间为1h.

关键词: 直接氮化法 , 纳米晶TiN薄膜 , TiO2薄膜

电弧放电等离子体法合成立方相氮化铬纳米粉

沈龙海 , 崔启良

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00411

采用电弧放电等离子体方法,通过金属铬和氮气的直接反应合成了粒度小于10nm的纯立方相氮化铬(CrN)纳米粉.利用X射线衍射分析(XRD)、透射电镜(TEM)和傅立叶变换红外光谱(FT-IR)对不同氮气压下形成的产物进行了表征.研究了氮气压和氨气的加入对形成立方相CrN纳米晶的影响.研究结果表明:相对较低的N_2气压(5~20kPa)有利于金属Cr向立方CrN的转化,可以使更多的氮原子结合到金属Cr的格子中去;活性氮源(氨气)的加入降低了金属Cr的氮化.

关键词: 直接氮化法 , 氮化铬 , 纳米粉

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