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用于紫外光电导探测器的TiO2薄膜研究

张利伟 , 杨仕娥 , 姚宁 , 鲁占灵 , 樊志琴 , 张兵临

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.024

采用直流反应磁控溅射的方法,制备了TiO2薄膜.用X射线衍射,原子力显微镜(AFM)和紫外-可见光分光光度计分别测试了TiO2薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱,采用C/TiO2/ITO三层结构制备了TiO2光电导型紫外探测器,研究了它的光响应.初步实验结果表明:TiO2薄膜在4W的紫光灯辐射下,光电流可达2.1mA,10min的辐射时间内,光电流基本保持稳定,可见TiO2薄膜对紫外光有较高的灵敏度和稳定性,可作为一种良好的紫外光探测材料.

关键词: 直流反应磁控溅射 , TiO2薄膜 , 光导型紫外探测器 , 光响应

气流场强度对直流磁控溅射ZAO薄膜性能的影响

殷胜东 , 马勇 , 靳铁良

材料导报

用含2%Al的Zn/Al合金靶材,在不同气流场强度下使用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZAO(ZnO:Al)透明导电薄膜样品.定义气流场强度等于总气流量除以总气压.结果表明:气流场强度的大小对ZAO薄膜的表面形貌和电导率有较大影响,对可见光的透射率影响不大.在Ar气压强为0.3Pa,流量为22sccm,O2气压强为0.08Pa,流量为10sccm,气流场强度约为84sccm/Pa时制备ZAO薄膜的最低电阻率为4.2×10-4Ω·cm,可见光透射率为90%.

关键词: ZAO薄膜 , 直流反应磁控溅射 , 气流场强度 , 电导率 , 透射率

直流反应磁控溅射法制备二氧化钛薄膜的光响应

张利伟 , 张兵临 , 姚宁 , 樊志琴 , 杨仕娥 , 鲁占灵

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.042

采用直流反应磁控溅射的方法在镀有ITO的导电玻璃衬底上沉积了二氧化钛薄膜,分别用拉曼光谱和吸收光谱研究了薄膜的结构,通过光电流研究了二氧化钛薄膜的紫外光响应.在100s的时间内光电流能达到最大值的96%,当停止紫外光照射时,光电流在200s的时间内能恢复到暗电流,二氧化钛薄膜对紫外光的灵敏性和稳定的光响应表明二氧化钛薄膜有可能成为一种新的紫外光探测器材料.

关键词: 直流反应磁控溅射 , 二氧化钛薄膜 , 光响应 , 光电流

直流反应磁控溅射制备a-C:H薄膜及其表面粗糙度研究

张艳茹 , 杭凌侠 , 郭峰 , 宁晓阳

表面技术

为研究含氢类金刚石(a-C:H)薄膜的制备及性能,充入含-CH3原子团的CH4气体,在不同CH4/Ar流量比条件下于N型硅基底上沉积a-C:H薄膜,并借助椭偏仪、非接触式白光干涉仪及激光波面干涉仪对薄膜的沉积速率及表面粗糙度进行测定.结果表明,含氢碳源气体的加入提高了类金刚石薄膜的沉积速率,改善了表面平整度.

关键词: 直流反应磁控溅射 , 含氢类金刚石薄膜 , 沉积速率 , 表面粗糙度

直流反应磁控溅射法制备ZnO: Zr透明导电薄膜

张化福 , 类成新 , 刘汉法 , 袁长坤

人工晶体学报

以Zn∶ Zr为靶材,利用直流反应磁控溅射法制备了ZnO∶ Zr透明导电薄薄膜.研究了沉积压强对ZnO∶ Zr薄膜形貌、结构、光学及电学性能的影响.实验结果表明所制备的ZnO∶ Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向.沉积压强对ZnO∶ Zr薄膜的晶化程度、形貌、生长速率和电阻率影响很大,而对其光学性能如透光率、光学带隙及折射率影响不大.当沉积压强为2Pa时,ZnO∶ Zr薄膜的电阻率达到最小值2.0×10-3Ω ·cm,其可见光平均透过率和平均折射率分别为83.2%和1.97.

关键词: 直流反应磁控溅射 , ZnO∶ Zr薄膜 , 透明导电薄膜 , 沉积压强

铝锰合金表面直流反应磁控溅射制备氧化铟锡薄膜

黄晓辉 , 左秀荣 , 姬中华

电镀与涂饰

采用直流反应磁控溅射在AlMn合金表面制备出ITO薄膜.采用扫描电镜、X射线衍射、紫外-可见光测试、磨损试验、盐雾试验、薄膜厚度测量和显微硬度试验等方法对制备的ITO薄膜表面进行检测分析.结果表明:在溅射功率210 W、衬底温度120℃、溅射时间20 min的条件下,AlMn合金表面的ITO薄膜晶粒尺寸细小,与基底结合良好,AlMn合金表面光泽度好,强度、硬度高,并具有一定的耐磨、耐蚀性能.

关键词: 铝锰合金 , 氧化铟锡 , 薄膜 , 直流反应磁控溅射

温度对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜光学性质的影响

王贺权 , 沈辉 , 巴德纯 , 汪保卫 , 闻立时

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.03.007

应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为42.6sccm,氧流量为15sccm,溅射时间为30分钟的条件下,通过控制温度改变TiO2薄膜的光学性质.应用n&k Analyzer 1200测量,当温度增加时薄膜的平均反射率降低同时反射低谷向长波方向移动;温度对消光系数k影响不大;当温度低于180℃薄膜的折射率变化不大,当温度达到240℃左右时薄膜的折射率明显降低.通过XRD和SEM表征发现,随着温度的增加TiO2的晶体结构由混晶变为单一的锐钛矿相,薄膜表面的颗粒由多变少,表面形貌由粗糙多孔变得细腻平滑.

关键词: 二氧化钛薄膜 , 直流反应磁控溅射 , 温度 , 反射率

溅射工艺对有机基底氧化钛薄膜应力的影响

丁宇婷 , 张晓锋 , 张晓雯 , 颜悦

航空材料学报 doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2011.z1.029

采用常温下靶面进气的直流反应磁控溅射方法在柔性聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基片上制备氧化钛薄膜,通过正交试验设计沉积工艺条件(溅射功率、Ar:O2、溅射气压和镀膜时间),分析各因素对薄膜应力水平的影响.研究表明,在试验范围内,溅射功率和镀膜时间对薄膜应力值的影响较为显著,而Ar:O2和溅射气压的影响相对较小.

关键词: 薄膜应力 , 直流反应磁控溅射 , 氧化钛薄膜 , PMMA基底

溅射气氛中O2/Ar比及热处理对直流反应磁控溅射法制备玻璃基TiO2薄膜结构与亲水性的影响

赵青南 , 刘保顺 , 赵修建 ,

稀有金属材料与工程

在工作气压为 0.80Pa的氧氩气混合气氛下,改变氧与氩的流量比 (O2/Ar:0.10, 0.20, 0.30),在预先镀 10nm左右 SiO2的普通玻璃基片上用直流( D.C.)磁控溅射法制备了 300nm左右的 TiO2薄膜试样.离线在 500℃、氧气氛下对试样热处理 2h.用 X射线光电子能谱( XPS)和 X射线衍射仪( XRD)分别研究了试样热处理前后的表面元素组成、离子状态和物相组成,用接触角分析仪测试了试样在紫外光 (UV)照射后的水润湿角.

关键词: 玻璃基 TiO2薄膜 , 亲水性 , 直流反应磁控溅射 , 氧气和氩气流量比

ZnO:Al(ZAO)薄膜的制备与特性研究

裴志亮 , 张小波 , 王铁钢 , 宫骏 , 孙超 , 闻立时

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2005.01.016

采用磁控溅射技术制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜.研究了不同的工艺参数对薄膜的组织结构和光电特性的影响.实验结果表明,多晶ZAO薄膜具有(001)择优取向且呈柱状生长,能量机制决定其微观生长状态.讨论了薄膜的内应力,高的沉积温度和低的溅射功率可有效减小薄膜的内应力.优化的ZAO薄膜电阻率和在可见光区的平均透射率可分别达到3×10-4-4×10-4Q·cm和80%以上.

关键词: 直流反应磁控溅射 , ZAO薄膜 , 生长机制 , 光电特性

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