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硅基陶瓷材料高温氧化理论的回顾

林仕伟 , 司文捷 , 彭志坚 , 苗赫濯

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.02.033

本文综述了硅基陶瓷材料高温氧化理论,在热动力学和整体控速过程两方面具体介绍了在高温条件下Si、SiC、Si3N4等非氧化物硅基陶瓷的氧化性质的研究进展.

关键词: 高温氧化 , 硅基材料 , Si , SiC , Si3N4

掺铒a-SixC1-x-H薄膜的发光特性

卞留芳 , 张春光 , 陈维德 , 许振嘉 , 屈玉华 , 刁宏伟

中国稀土学报

用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 的方法,以固定的氢气(H2)流量和不同的硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)流量比沉积了一系列的氢化非晶SiC(a-SixC1-x-H)膜.用这种宽带隙的a-SixC1-x-H材料作为掺铒的基体材料,通过离子注入的方法得到掺铒的a-SixC1-x-H(a-SixC1-x-H:Er)膜.注入以后的样品经过不同温度的退火.用X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、拉曼散射谱(Raman)等技术研究不同的SiH4/CH4流量比和退火温度对a-SixC1-x-H:Er发光强度的影响.结果表明,高温退火引起了膜中C的分凝,对铒的发光是不利的.通过低温和室温下铒发光强度的比较,表明这种材料具有较弱的温度猝灭效应.

关键词: Er , SiC , 硅基材料 , 发光 , 稀土

半导体硅及硅基材料研究中的几个问题

屠海令

上海金属 doi:10.3969/j.issn.1001-7208.2008.05.001

叙述了大直径硅单晶生长,计算机数值模拟以及绝缘体上硅(SOI)、锗硅(SiGe)和应变硅等硅基材料的研究进展,讨论了硅中缺陷演化、杂质特性、缺陷工程和表面与界面质量控制,展望了后摩尔时代半导体硅及硅基材料的发展前景.

关键词: 大直径硅单晶 , 硅基材料 , 缺陷 , 杂质

新颖的硅基光电材料

叶志镇 , 黄靖云

材料导报

光电集成是未来信息技术发展的重要方向之一,硅基光电集成具有巨大的应用前景,在硅基材料及集成方面源头创新空间很大.论述了新颖的硅基材料研究现状及应用前景.

关键词: 硅基材料 , 光电 , 集成

纳米集成电路用大直径硅及硅基材料研究进展

屠海令

功能材料

本文叙述了大直径硅单晶生长、杂质缺陷行为、表面质量控制及硅基材料的研究现状,讨论了应变硅与绝缘体上硅(SOI)相结合的发展趋势,展望了纳米集成电路用大直径硅及硅基材料的技术经济前景.

关键词: 纳米集成电路 , 大直径硅单晶 , 硅基材料

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