杨辉
,
张志勇
,
冯志伟
,
熊祝韵
,
曾体贤
影像科学与光化学
doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2017.02.168
本文利用改进的垂直无籽晶气相升华法生长出尺寸达Φ30×40 mm的优质硒化镉(CdSe)单晶体.解理晶体,通过X射线衍射仪测试精确的获得(001)晶面.然后定向切割、研磨、抛光,获得了尺寸为20×20×3 mm3的CdSe中红外波片初胚.以弱碱性溶液与刚玉粉的混合液作为抛光液,利用化学机械抛光法对CdSe中红外波片进行表面抛光处理.结果显示,抛光处理有效的减少了波片表面的损伤层、划痕及结构缺陷,晶片表面的粗糙度降低,在2～20μm波段透过率较高(达到70 ％),满足中红外波片的应用需求.
关键词:
硒化镉晶体
,
中红外波片
,
化学机械抛光
