栾庆彬
,
皮孝东
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.21.001
以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能,就有必要开发新型的薄膜材料.近年来,由半导体纳米晶体构成的新型薄膜材料在晶体管中的应用越来越受到人们关注.利用半导体纳米晶体制备的薄膜晶体管有着较高的载流子迁移率和开关电流比,同时在其制备过程中可以在较低温度下大面积成膜,能够使用塑料等柔性衬底,因而具有明显的成本优势,发展前景广阔.着重介绍了几种颇具潜力的半导体(如硒化镉、碲化汞、硒化铅、锗、硅)纳米晶体在制备薄膜晶体管方面的应用.
关键词:
薄膜晶体管
,
有源层
,
半导体
,
纳米晶体
,
硒化镉
,
碲化汞
,
硒化铅
,
锗
,
硅
蒋坤朋
,
廖雷
,
蒋丽
,
余卫平
,
巫朝剑
,
覃爱苗
材料导报
概述了近期碲化汞纳米材料的各种制备技术的研究进展,并总结了制备、技术中出现的问题.结合晶体生长机理,分析了碲化汞量子点、纳米线等典型的形貌特征.介绍了碲化汞制备技术研究中具有代表性的几个课题组的研究动向.结合本课题组的研究进展,讨论了碲化汞制备过程中碲源和汞源所存在的问题.最后展望了碲化汞的制备技术改进.
关键词:
碲化汞
,
晶体生长
,
纳米材料
