张冬敏
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朱世富
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赵北君
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高德友
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陈俊
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唐世红
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方军
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程曦
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.010
报道了CdZnTe探测器晶片表面钝化工艺对其性能的影响.先采用金相砂纸和化学腐蚀剂对CdZnTe晶片进行机械和化学抛光,然后分别用H2O2溶液和NH4F/H2O2溶液对晶片进行湿法钝化;再用ZC36微电流测试仪和扫描电镜测试研究了不同钝化时间对CdZnTe晶片电学性质和表面形态的影响.结果发现:用NH4F/H2O2溶液对CdZnTe探测器晶片进行钝化30min,晶片表面形成一层完整的高阻氧化层,表面漏电流最小、晶体电阻率提高1～2个数量级,达到109～10Ω·cm,适合探测器的制备.
关键词:
碲锌镉晶片
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表面处理
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漏电流
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电阻率
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形貌
