梁巍
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王林军
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张继军
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秦凯丰
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赖建明
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吴文其
人工晶体学报
采用移动加热器法生长铟惨杂浓度为5×1017 atoms/cm3的Cd0.9Mn0.1Te (CMT)和Cd0.9Zn0.1Te (CZT)单晶.生长得到的CMT晶体和CZT晶体电阻率范围为4.5×109 ～ 6.2×1010 Ω·cm.CMT晶体的成分均匀性要优于CZT晶体,拟合得到CMT和CZT晶体中Mn和Zn的分凝系数分别为0.95和1.23.富Te区在两种晶体生长过程中都具有显著的提纯作用,In惨杂的浓度范围均在6.4 ～ 14.4 ppm范围内.红外透射显微镜观察到三角形和六边形为主的Te夹杂的尺寸5 ～24 μm,浓度为105 cm-3.除最后结晶区之外,沿晶体生长方向Te夹杂的尺寸逐渐减小而浓度逐渐增大.制备的CMT和CZT探测器对59.5 keV241Am放射源均有能谱响应,能量分辨率分别为23.2％和24.6％.
关键词:
碲锰镉
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碲锌镉
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移动加热器法
,
电阻率
沈敏
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张继军
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王林军
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闵嘉华
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汪琳
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梁小燕
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.08.039
采用圆形传输线模型研究了金(Au)电极与碲锰镉(CdMnTe)晶体的欧姆接触特性,Au电极采用AuCl3化学镀金法制备,计算了其接触电阻率.实验探讨了表面处理和退火对Au/CdMnTe接触电阻率的影响.结果表明,CdMnTe晶体经过化学抛光和化学机械抛光后Au/CdMnTe的接触电阻率分别为544.5和89.0Ω?cm2.通过AFM与XPS分析了晶体表面的形貌与成分,发现表面粗糙度和富Te成分对CdMnTe薄层电阻和载流子传输长度有较大的影响,决定了接触电阻率的大小.在150℃空气气氛退火1 h后,经CP和CMP表面处理的样品,Au/CdMnTe接触电阻率均减小,分别为313.6和30.2Ω?cm2.退火促进了Au向CdMnTe晶体的扩散,使接触电阻率进一步降低,欧姆接触性能提高.
关键词:
碲锰镉
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接触电阻率
,
化学抛光
,
化学机械抛光
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退火
