李祥彪
,
施尔畏
,
陈之战
,
肖兵
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00238
采用物理气相传输法生长了Al掺杂和非掺杂的6H-SiC晶体, 测量了从室温到400℃的拉曼光谱. 由于晶体的热膨胀作用及光声子散射过程中的衰减, 导致两种样品的拉曼谱峰均向低波数移动, 并且发生展宽. 随着温度升高, Al掺杂样品中的等离子体激元增加, 使得样品中自由载流子浓度增大, 由于纵向声子与等离子体激元和自由载流子之间存在很强的耦合交互作用, 导致Al掺杂样品的A1模强度显著降低而非掺杂样品几乎不变. 通过拉曼光谱与霍耳效应测量, 从理论和实验上分析了Al在高温下的激活行为及对自由载流子的贡献.
关键词:
碳化硅单晶
,
high temperature Raman spectra
,
doping
,
free carrier
韩荣江
,
王继扬
,
徐现刚
,
胡小波
,
董捷
,
李现祥
,
李娟
,
姜守振
,
王丽
,
蒋民华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.001
利用显微激光拉曼光谱法对掺氮6H-SiC单晶中的寄生多型体进行了鉴别,结果表明其中有4H-SiC和15R-SiC两种寄生多型体.不同SiC多型体的纵光学声子与等离子体激元的耦合模(LOPC模)表明:在掺氮6H-SiC单晶的生长条件下,6H-SiC的掺氮效应与4H-SiC存在明显差别,而与15R-SiC的掺氮效应相似.
关键词:
显微激光拉曼光谱法
,
碳化硅单晶
,
多型体鉴别
,
掺氮效应
陈之战
,
肖兵
,
施尔畏
,
庄击勇
,
刘先才
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.007
报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出ф45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道密度约为103cm-2,位错密度约为104～105cm-2.测试了SiC单晶的半导体特性,结果表明:晶体为n型,电阻率约300Ω.cm,迁移率90cm2V-1S-1,载流子浓度在1014cm-3量级.
关键词:
碳化硅单晶
,
晶体生长
,
PVT法
,
微管道
李祥彪
,
施尔畏
,
陈之战
,
肖兵
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.02.007
采用物理气相传输法生长了Al掺杂和非掺杂的6H-SiC晶体,测量了从室温到400℃的拉曼光谱.由于晶体的热膨胀作用及光声子散射过程中的衰减,导致两种样品的拉曼谱峰均向低波数移动,并且发生展宽.随着温度升高,Al掺杂样品中的等离子体激元增加,使得样品中自由载流子浓度增大,由于纵向声子与等离子体激元和自由载流子之间存在很强的耦合交互作用,导致Al掺杂样品的Ai模强度显著降低而非掺杂样品几乎不变.通过拉曼光谱与霍耳效应测量,从理论和实验上分析了Al在高温下的激活行为及对自由载流子的贡献.
关键词:
碳化硅单晶
,
变温拉曼光谱
,
掺杂
,
自由载流子
