谢生
,
陈朝
,
毛陆虹
功能材料
为了在InP材料中获得精确的浅结扩散和低的接触电阻,同时防止InP表面层分解,提出了一种以Zn膜作扩散源、用快速热处理工艺进行Zn扩散的新方法.实验结果表明,该方法不仅可以获得约5×1018cm-3的空穴浓度,而且扩散界面平坦、无尖峰.用SiNx/SiO2和Al2O3图形掩膜制备的p-n结二板管的反向击穿电压分别为28和37V,进一步验证了扩散界面良好的电学特性.
关键词:
锌扩散
,
磷化铟
,
电化学电容-电压
,
电流-电压特性
谢生
,
陈松岩
,
何国荣
,
周海文
,
吴孙桃
功能材料
通过对InP/GaAs异质键合实验方法的研究,提出了包括表面活化处理、真空预键合和退火热处理的三步法,在350℃低温下实现了InP/GaAs异质材料的键合.界面电流-电压(I-V)特性的研究表明,350℃样品的界面过渡层极薄,电子主要以隧穿方式通过界面,而450℃的扩散使得过渡层增厚,界面电流-电压特性可视为双肖特基二极管的反向串联.同时,对键合样品也进行了拉力测试,实验结果表明450℃样品的键合强度优于350℃样品.最后,对InP/GaAs异质材料的键合机理进行了探讨.
关键词:
低温键合
,
磷化铟
,
砷化镓
,
I-V特性
,
键合强度
陈爱华
,
杨瑞霞
,
杨帆
,
刘志国
,
孙聂枫
人工晶体学报
运用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的InP熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了3英寸富磷掺Fe的InP单晶.运用高分辨率X射线衍射技术、偏振差分透射谱测试技术、光致荧光谱技术对富磷掺Fe的InP晶片进行了结构、应力及发光特性测试.结果表明,晶格的应变导致了PL发光峰峰位的变化,晶格应变与残留应力测试结果相一致,说明材料生长过程中的热应力是导致样品晶格常数分布不均匀的主要因素.
关键词:
磷化铟
,
液封直拉法
,
晶格应变
,
残留应力
梁建
,
赵国英
,
赵君芙
,
张华
,
贾伟
人工晶体学报
以氯化铟和无毒红磷为主要原料,十六烷基三甲基溴化铵为表面活性剂,采用溶剂热法低温合成磷化铟纳米线,并用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对所制备产物的结构和形貌进行了分析表征;能谱仪(EDS)和荧光分光光度计对所制备产物的成分,含量和发光性质进行了表征.结果表明:采用该方法制备出的磷化铟纳米线长短不同,最小直径为20 nm.在合适的条件下,改变反应温度、增加反应时间或改变碱溶液都可生长出高品质的磷化铟纳米线.
关键词:
溶剂热
,
磷化铟
,
十六烷基三甲基溴化铵
,
纳米线
张喜田
,
王玉玺
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.02.010
利用离子注入法,以300keV的能量,7×1014cm-2的剂量,在室温下,对(100)InP晶体进行稀土(RE)元素Er的注入;分别在600℃、650℃、700℃、750℃、800℃温度下,采用安瓿闭管恒温退火20h.二次离子质谱仪(SIMS)观测到稀土元素Er原子在InP中的分布,直到800℃时几乎没有变化;在77K温度下,观测到InP中Er3+离子的1.54μm特征光致发光(PL)峰.提出退火温度对InP中Er3+离子的光致发光强度影响的机理.
关键词:
离子注入
,
光致发光
,
配位体
,
稀土元素
,
半导体材料
,
磷化铟
李明伟
,
陈淑仙
,
王凭青
工程热物理学报
用有限元法对轴向磁场存在下3英寸磷化铟单晶液封提拉法生长中的传热和流动进行了求解.结果表明:液封改变了晶体表面被封部分的换热,进而影响生长界面的形状.增加磁场强度能有效减弱熔体和封层内的流动,并使生长界面形状发生变化.增加提拉速度,生长界面形状由凸变凹.随晶体转速的增加,多涡胞流动出现.
关键词:
磷化铟
,
液封提拉法
,
磁场
,
传热和流动
杨帆
,
杨瑞霞
,
陈爱华
,
孙聂枫
,
刘志国
,
李晓岚
,
潘静
人工晶体学报
采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟(InP)熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了掺硫及掺铁单晶材料.分别用快速扫描光荧光谱技术(PL-Mapping)、扫描电镜和傅里叶红外光谱对富磷单晶样品进行了研究.结果表明,在富磷条件下拉制的InP单晶会出现孔洞,致使在孔洞周围及远离区域晶体结晶质量和晶格常数存在差异,并且孔洞的存在会造成杂质分布的不均匀性.由于孔洞附近区域具有较高浓度的缺陷,而缺陷对杂质的吸引作用致使孔洞附近区域杂质浓度较远离孔洞区域有所增加.
关键词:
磷化铟
,
富磷
,
液封直拉法
,
缺陷
谢生
,
陈松岩
,
毛陆虹
,
郭维廉
功能材料
用直接键合技术在480℃实现了InP/GaAs的异质键合,用X射线光电子谱研究了样品的界面化学态.研究分析表明,InP/GaAs样品在480℃的键合过程中发生相互扩散(除P外),键合界面处形成了由InP、GaAs、InAs和GaP构成的中间过渡层,过渡层厚度约为6nm.
关键词:
晶片键合
,
X射线光电子谱
,
磷化铟
,
砷化镓
谢生
,
陈松岩
,
陈朝
,
毛陆虹
功能材料
采用PECVD方法制备了SiNx薄膜,用椭偏测厚仪、红外光谱仪和俄歇能谱仪研究了SiNx薄膜的性质.测试结果表明,SiNx薄膜的折射率随SiH4流量增加不断增大,当SiH4/NH3为38/8时,沉积SiNx薄膜的折射率为1.93,对应的Si/N比约为0.75.FTIR测试结果表明,随着SiH4/NH3流量的增加,N-H含量降低,Si-H含量升高,当SiH4/NH3为38/8时,SiNx薄膜的H含量最少.通过优化沉积条件和层厚度,将SiNx薄膜应用于InP材料的开管扩Zn中,并成功制备了平面结构的InP/InGaAs PIN探测器.
关键词:
氮化硅
,
等离子增强化学汽相沉积
,
钝化
,
磷化铟
,
开管Zn扩散
陈率
,
王春霞
,
刘宏伟
,
阚强
,
许兴胜
,
陈弘达
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.01.012
利用严格耦合波算法计算了二维光子晶体平板结构随角度变化透过谱和波长变化透过谱,研究了透过谱上传导共振峰与二维光子晶体平板能带结构的关系.利用共振传导模的低透过和高Q值的特点,设计了基于磷化铟材料的工作在1550 nm波长附近的角度分辨和波长分辨的光子晶体光开关.理论模拟结果表明,该结构透过谱上传导共振峰品质因子可达105,非线性折射率变化为10-4即可实现开关对比度接近100%.当信号光或泵浦光分别与光子晶体平板传导共振模耦合时,由于共振耦合使得泵浦光场增强,需要泵浦能量仅为184 fJ,为目前所知能量最低的光开关.
关键词:
光子晶体
,
光开关
,
传导共振模
,
磷化铟
,
低功率
