卢肖
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吴传贵
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张万里
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李言荣
功能材料
采用射频溅射制备Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜,研究了测试温度(295～375K)对BST薄膜J-V(电流密度-电压)特性的影响.实验发现:J∝Vm在低场下(V＜1.8V)m≈1,高场下(V＞1.8V)m≈8.随着测试温度升高,在低场下电流密度增大,指数m值保持不变;而在高场下电流密度减小,指数m值减小.通过进一步分析发现:电流密度和温度的关系在低场下满足lnJ∝-1T,在高场下满足logJ∝1t.
关键词:
BST薄膜
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漏电流
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温度特性
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空间电荷限制电流
何小祥
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吴传贵
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张万里
功能材料
利用射频(RF)溅射在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BST)薄膜,制成Pt/BST/Pt平板电容,研究在正反偏压下BST薄膜漏电流的J-V和J-T特性.反偏压时,上电极Pt和BST薄膜形成肖特基接触,漏电流遵循肖特基发射机制.正偏压时,BST薄膜和下电极Pt界面存在大量的界面态,使得漏电流遵循空间电荷限制电流(SCLC)机制,漏电流密度随偏压的增加而急剧增加,随测试温度的增加而减小产生了PTCR效应.利用深陷阱空间电荷限制电流模型,解释了BST薄膜的PTCR效应受εr(T)和V(Tc/T)+1的共同作用,其中εr(T)的作用占优.
关键词:
PTCR
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BST薄膜
,
陷阱填充限制电流
,
空间电荷限制电流
程铁栋
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唐新桂
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匡淑娟
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熊惠芳
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刘秋香
,
蒋艳平
稀有金属材料与工程
采用溶胶-凝胶法(sol-gel),以LaNiO3(LNO)为底电极在/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了(Pb1-xLax)Ti1-x/4O3(x=28 mol%,简称PLT)薄膜.经过600℃快速退火.从而得到了多晶钙钛矿结构PLT薄膜.薄膜漏电流和电压极性有关,当在Pt电极或LNO电极施加负偏压时,在低电场作用下,Pt/PLT和PLT/LNO界面分别形成肖特基势垒和欧姆接触;在高电场作用下,Pt/PLT和PLT/INO界面的漏电流均呈现空间电荷限制电流导电机制.这是因为用金属氧化物LNO做底电极的缘故.
关键词:
PLT薄膜
,
界面特性
,
漏电流
,
肖特基发射
,
空间电荷限制电流
周力任
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吴广宁
,
罗杨
材料科学与工程学报
本文分析了与绝缘介质老化、失效过程密切相关的载流子注入与传导机理,包括具有电极限制特性的肖特基效应、具有体限制特性的普尔-弗兰凯尔效应、隧穿效应、离子跳跃传导以及空间电荷限制电流.研究结果表明:由普尔-弗兰凯尔效应引起的势垒降低的高度是由肖特基效应降低的势垒高度的两倍.如果In(I/E~2)-1/E特性关系始终是线性的,说明载流子是由隧穿效应注入介质中的.在高电场下,离子跳跃传导的J-E特性曲线是一条斜率为eλ/2κT的直线,并可由此斜率计算得到离子跳跃的距离.由空间电荷限制电流的J-V特性可以确定临界电压,即电流从陷阱限制值迅速跳高至无陷阱的空间电荷限制电流值的电压.
关键词:
肖特基效应
,
普尔-弗兰凯尔效应
,
隧穿效应
,
离子跳跃传导
,
空间电荷限制电流
朱炎
,
赵登涛
,
狄国庆
,
方亮
功能材料
研究了反应射频磁控溅射制备的非晶氧化铝薄膜中电荷输运过程,发现交流和直流电导导电机制是明显不同的.对直流输运,以Poole-Frenkel发射模式为主,而新样品的直流电导则常常是带陷阱的空间电荷限制电流模式.交流电导则是由所谓的声子辅助的定域载流子的跳跃引起的.电导的温度特性表明,交流电导有两种不同的导电机制,即低温区的浅陷阱发射和高温区的因氧缺陷导致的深陷阱的发射过程,直流电导与交流电导在高温区趋于一致.
关键词:
非晶氧化铝薄膜
,
Schottky发射
,
Poole-Frenkel发射
,
空间电荷限制电流
,
电导
,
激活能
滕支刚
,
冷华星
,
张玲珑
,
钟传杰
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142902.0219
通过测量p+Si/PEDOT:PSS/Tips-PEN/Ag器件的J-V特性,研究了退火时间对溶液法制备Tips-PEN薄膜电流传输特性的影响.实验结果表明,在退火时间为2h和5h的条件下,随偏置电压的增加,双对数J-V曲线存在斜率依次为2,大于3以及2的不同区域,而在退火时间达到10 h后,低电压下斜率为2的区域消失.根据空间电荷限制电流模型,分析了不同区域的电流传输机理,并提取了陷阱密度和空穴的迁移率.在退火时间为10h时,材料有最低的陷阱密度5.70×1018/cm3和最大的空穴迁移率1.68×10-4 cm2/(V·s),其在低偏置下传输特征的改变表明与溶剂残留有关的单一能级陷阱极大减小.
关键词:
Tips-Pentacene
,
空间电荷限制电流
,
退火时间
,
溶剂残留
景亚霓
,
滕支刚
,
魏志芬
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142906.1077
利用稳态 SCLC 法和阻抗谱法测量了由溶液工艺制备的 Tips-PEN 薄膜的空穴迁移率,并对两种方法的测试结果进行比较和分析.测试样品是 p＋ Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag 构成的单载流子器件.稳态 SCLC 法测试的器件Tips-PEN 厚度为87 nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.21×10-5 cm2/(V??s)和0.0024(cm/V)1/2；阻抗谱法测试的器件 Tips-PEN 厚度为827 nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.219×10-5 cm2/(V??s)和0.00347(cm/V)1/2.稳态 SCLC 法得到的场依赖因子较小,呈现较弱的场依赖关系,其原因是为得到无陷阱模式下的稳态 SCLC 需要施加的电场远远高于阻抗谱测量时的电场,以至于注入较高的载流子浓度.这一结果显示了在较高载流子浓度下迁移率与场的依赖变弱,与理论模型和模拟预测的趋势一致.
关键词:
Tips-Pentacene
,
空间电荷限制电流
,
阻抗谱
,
迁移率
徐维
材料开发与应用
doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2010.03.014
在不同厚度条件下(50～300nm),运用空间电荷限制电流法,对4,7-diphyenyl-1,10-phenanthroline(BPhen)的电子迁移率进行了测量.当厚度处在体性质占有优势的情况下,迁移率的数值与运用飞跃时间法所测得的数值非常吻合.对于有机电致发光器件的典型厚度,Bphen的电子迁移率为2.8×10-4cm2/Vs,在厚度为50nm时小于3.4×10-4cm2/V s.300 nm时,电场强度为0.3mV/cm.较低的迁移率是由界面陷阱状态造成的.
关键词:
空间电荷限制电流
,
电子迁移率
,
有机电致发光器件
罗劲明
,
徐初东
,
陈书汉
材料导报
研究了BiFe0.95Mn005 O3薄膜器件的双极性阻变效应.通过对薄膜器件的电流电压曲线进行电导机制的拟合分析,发现在低阻态时其电流电压关系遵循欧姆定律,而在高阻态时则满足指数分布陷阱控制的空间电荷限制电流规律.同时,还研究了限制电流对双极性阻变效应的影响,结果表明通过调节限制电流值,可以改变薄膜内形成的导电丝粗细,从而得到不同的低阻态,实现薄膜器件的多态存储功能.在导电丝理论的基础上,利用指数分布陷阱控制的空间电荷限制电流机理对这一现象进行了详尽的阐述.
关键词:
BiFe0.95Mn0.05O3
,
阻变效应
,
空间电荷限制电流
