杜正良
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崔教林
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朱铁军
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赵新兵
稀有金属材料与工程
利用B2O3助熔剂法结合热压法制备了Mg2Si0.487-2xSn0.5(GaSb)xSb0.013 (0.04 ≤x≤0.10)固溶体.X射线衍射结果表明样品呈单相.Sb掺杂有效提高了样品的电导率.随温度升高,Mg2Si0.487-2xSn0.5(GaSb)xSb0.013 (0.04≤x≤ 0.10)样品的电导率降低而塞贝克系数升高.随GaSb含量的增多,样品的电导率呈现出先增大后减小的变化趋势.所有样品中Mg2Si0.287 Sn0.5(GaSb)0.1Sb0.013具有最低晶格热导率,其室温晶格热导率比Mg2Si0.5Sn0.5[11]低15％.由于电导率较高使Mg2Si0.327Sn0.5(GaSb)0.08Sb0.013具有最高热电优值,在720 K达到0.61,显著高于基体Mg2Si0.5Sn0.5[11]的最高热电优值0.019.
关键词:
硅化镁
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热电性能
,
热电材料
,
等电子取代
杜正良
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崔教林
稀有金属材料与工程
利用B2O3助熔剂法结合SPS技术制备了Mg2-xZnxSi0.99Sb0.01(0≤x≤0.1)固溶体.测量了300～780K温度区间内试样的电导率、塞贝克系数和热导率.发现晶格热导率随Zn取代量的增大而降低.而电导率随Zn取代量的增大而先降低后增大.讨论了影响电导率与晶格热导率的变化规律的具体内在机制.所有样品中x=0.075样品的功率因子最高,在780 K达1.76 mW·m1·K2,比基体Mg2Si0.99Sb0.01高约18％.x=0.1样品具有最低晶格热导率,在770K达到2.86 W·m-1·K-l.低晶格热导率使Mg1.9Zn0.1 Si0.99Sb0.01具有最高热电优值,在780K达0.37.
关键词:
硅化镁
,
热电性能
,
热电材料
,
等电子取代
