王军
,
祁康成
,
成建波
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2004.04.002
研究了制备性能优良非晶硅薄膜的工艺参数,对薄膜进行高温退火得到多晶硅薄膜.用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)观察薄膜的结晶情况以及晶粒的大小.结果表明:退火温度越高,退火时间越长,得到多晶硅薄膜的比例越高,晶粒也相对较大;薄膜在(111)方向上优先结晶,晶粒大小可以达到1μm,与理论值做了比较.
关键词:
多晶硅
,
薄膜
,
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
,
退火
