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掺杂TiO2的ZnO压敏电阻正电子寿命谱研究

王亮 , 樊东辉 , 林枞 , 徐政 , 孙丹峰

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.06.028

利用正电子湮灭技术(PAS)和扫描电子显微镜(SEM),分析了掺杂TiO2的ZnO压敏电阻的晶界缺陷,以及不同降温速率对晶界特性的影响.实验结果表明,向样品中掺杂TiO2或者快速冷却样品,都能使得样品晶界处Zn空位团尺寸变大,浓度减小.

关键词: ZnO压敏电阻 , 正电子寿命谱 , 简单捕获态模型