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粉末电热体加热法合成碳化硅晶片

孟永强 , 白志民 , 戴长虹

稀有金属材料与工程

常规加热技术生产的碳化硅晶片能耗大、成本高,所以在国内外市场上碳化硅晶片的供应量少、价格高,限制了碳化硅晶片在复合材料中的广泛应用.采用粉末电热体加热技术,以SiO2微粉和碳黑为原料,在较低合成温度1900℃下、较短的合成时间3 h内得到了直径为50~200μm、厚度为5~20 μm的碳化硅晶片,并探讨了合成碳化硅晶片的影响因素.研究表明,该加热技术的推广与应用,可以有效地实现碳化硅晶片的低成本、规模化生产.

关键词: 粉末电热体加热法 , 碳化硅 , 晶片

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