于威
,
王建涛
,
李云
,
郭少刚
,
朱海荣
,
傅广生
人工晶体学报
以Ar和H2为溅射气体,采用Si和SiO2双靶活性溅射技术实现了镶嵌纳米晶硅(nc-Si)的富硅氧化硅(SiOx)薄膜的300℃低温生长,并分析了氢气掺入对薄膜微观结构及键合特性的影响.结果表明,氢气流量比的增加导致纳米硅粒子尺寸增加,而生长速率逐渐减小.薄膜中Si-O键合结构以Si(O4)键为主,随H2流量比的增加,Si-O4-nSin(n=0,1)键密度减小,Si-O4-nSin(n=2,3)和SiH2键密度持续增加,而所对应Si-H键密度呈现先减小后增加趋势,该结果可解释为等离子体内氢原子对反应前驱物中氧的去除效应增强和氢原子与表面氧的解吸附反应几率的增加.
关键词:
纳米晶硅
,
富硅氧化硅
,
低温沉积
,
微结构
薛清
,
李新华
,
卢佃清
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.04.032
报道了氢化非晶硅薄膜在600～620℃温度下快速退火10 s可以形成纳米晶硅,其拉曼散射表明,所形成的纳米晶硅在薄膜中的分布是随机的,其直径在1.6～15 nm内.根据晶体生长理论和计算机模拟,讨论了升温快慢与所形成纳米硅颗粒大小之间的关系,并且在强光照射下观察了纳米晶硅在薄膜中的结晶和生长情况.经退火形成的nc-Si可见光辐射较弱,不能检测到它们的光致发光,但用氢氟酸腐蚀钝化后则可检测到较强的红PL,并且钝化后的nc-Si在空气中暴露一定时间后,其辐射光波长产生了蓝移.就表面钝化和量子限制对可见光辐射的重要性作了讨论.
关键词:
光电子学
,
纳米晶硅
,
热退火
,
拉曼散射
金雄聖
,
金原奭
,
柳在一
,
李禹奉
,
李貞烈
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.006
成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅.为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/SF6等离子体对SiNx薄膜表面进行处理.在制备纳米/微米晶粒结晶硅时常用的氢气稀释条件下,沉积得到了纳米晶硅.利用XRD和TEM观察了氢化纳米晶硅(nc-Si:H)的微结构,发现实验成功得到了小于10 nm的晶体硅.为了检测结构和电学特性,测试了纳米晶硅薄膜的亮态和暗态电导率.室温下,电导率从非晶硅的10-10 S/cm增加到10-5 S/cm.
关键词:
薄膜
,
纳米晶硅
,
等离子增强化学汽相沉积
,
电导率
梅艳
,
贾曦
,
安彩虹
,
完继光
,
徐艳梅
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2016.05.019
采用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术在不同N2O流量条件下制备了镶嵌有纳米晶硅(nc-Si)的富硅氧化硅(SiOx)薄膜,利用透射电镜(TEM),X射线衍射分析(XRD),傅里叶变换红外(FTIR)和透射光谱技术研究了薄膜中的氢含量和氧含量变化及其对薄膜晶化度、薄膜键合结构和光吸收特性的影响.结果表明,薄膜由nc-Si粒子和非晶SiOx组成,为混合相结构.nc-Si的生长与氧化反应的竞争决定了薄膜微观结构、键合特性以及光吸收特性.随着N2O流量的增加,薄膜的晶粒尺寸逐渐减小.晶界区过渡晶硅的比例减少,晶粒界面随之消失,带隙呈持续增加趋势.该实验结果为nc-Si/SiOx薄膜在新型太阳电池中的应用提供了基础数据.
关键词:
红外光谱
,
纳米晶硅
,
氧化硅
,
键合结构
