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本文根据偏光显微镜观察,把存在于立方氟化铅晶体中的包裹体分为三种类型:针状包裹体、板状包裹体和无规则形包裹体.根据EDS成分分析和XRD结构测定,认为针状包裹体的组成为铅的氧化物和氟氧化物,板状包裹体和无规则形包裹体为氟化铅的斜方相.针状包裹体是由于原料中的PbO杂质引起组分过冷而造成氧化铅和氟氧化铅小颗粒的定向排列.如果氧化物杂质含量不是很高,则通过掺入过量脱氧剂、提高固液界面处的温度梯度和降低下降速度,可以比较有效地减少甚至消除晶体中的针状包裹体.

关键词: 氟化铅晶体 , 包裹体 , 组分过冷 , 闪烁晶体

温度梯度法BaY2F8晶体生长中的小面研究

张守超 , 阮永丰 , 王帅 , 王友发 , 吴周礼

人工晶体学报

采用温度梯度法生长了BaY2F8晶体,通过X射线定向仪确定晶体自发沿[001]方向生长.通过对不同截面的显微观察和分析,研究认为生长方向与竖直方向不平行是诱发(100)、(130)、(130)等小面生长的重要因素.由于温度的波动和径向温度梯度的存在,会造成晶体生长过程中的组分过冷,引发晶面上出现胞状凸起,影响了晶体的生长质量.

关键词: BaY2F8晶体 , 小面生长 , 组分过冷 , 界面形状 , 缺陷

β′-Gd2(MoO4)3晶体生长中的过冷现象研究

袁清习 , 李红军 , 庄漪 , 徐军 , 潘守夔

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.02.010

对电阻加热引上法和感应加热引上法生长β′-Gd2(MoO4)3晶体的实验结果进行了比较,分析了两种方法生长晶体过程中熔体过冷和组分过冷的情况.研究认为组分过冷主要与生长过程中MoO3的挥发、Gd2(MoO4)3熔体的粘度及固液界面的温度梯度有关,并认为感应加热引上法较之电阻加热引上法容易得到优质晶体.

关键词: 电阻加热引上法 , 感应加热引上法 , 熔体过冷 , 组分过冷

掺钕钆镓石榴石晶体生长及完整性研究

曾繁明 , 刘景和 , 孙晶

人工晶体学报

本文采用提拉法生长了Nd:GGG晶体,并对晶体缺陷进行了系统分析,对晶体组分过冷分析结果发现,组分过冷在晶体中产生了空洞,对空洞中的物质进行了扫描电镜及能谱分析,发现组分过冷产生了第二相,用化学侵蚀法显示侵蚀坑的形貌基本呈三角形,并且位错产生了滑移现象,滑移原因是晶体切片时的外力造成的.

关键词: Nd , GGG , 组分过冷 , 位错 , 晶体开裂

化学计量比LiNbO3晶体宏观生长缺陷的观察

陈辉 , 郑燕青 , 陈建军 , 路治平 , 王绍华 , 施尔畏

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.023

本文对采用双坩埚提拉法(DCCZ)生长的化学计量比LiNbO3晶体中出现的机械双晶、组分过冷、包裹体等宏观生长缺陷进行了观察和分析.结果表明机械双晶通常以{102}和{104}面族为双晶面,而不是以前文献报道的{102}和{012}面族;化学计量比LiNbO3晶体双坩埚提拉法生长与同成份晶体生长不同,前者是助熔剂生长体系,生长速度稍快或温度较小的波动就会导致组分过冷,而后者属于纯熔体生长体系,不容易产生组分过冷;包裹体是由于组分过冷生长时界面失稳夹入熔体所造成的.由于这些缺陷的存在都会严重影响单晶的获得率和质量,为此,我们通过大量实验研究后提出了可以减少和避免这些生长缺陷提高晶体质量的方法.

关键词: 双坩埚提拉法 , 化学计量比铌酸锂 , 机械双晶 , 组分过冷 , 包裹体 , 缺陷

近化学计量比铌酸锂晶体组分过冷与临界生长速率研究

郑燕青 , 施尔畏 , 王绍华 , 陈辉 , 卢网平 , 孔海宽 , 陈建军 , 路治平

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.001

本文在用双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的过程中观察到了组分过冷的实验数据,同时根据Tiller-Chalmers稳定性判据公式半定量计算了近化学计量比LiNbO3晶体临界生长速率的理论值,得到一般电阻加热双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的临界生长速率为0.1mm/h数量级.通过临界生长速率解释了一系列晶体生长的实验结果.提出了一些工艺措施来避免组分过冷,根据这些工艺获得了无包裹体的近化学计量比LiNbO3晶体.

关键词: 双坩埚提拉法 , 近化学计量比 , 临界生长速率 , 组分过冷