李健翔
,
符斯列
,
蒋联娇
,
马娟娟
,
詹吉玉
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.22.031
基于密度泛函理论的平面波赝势方法,选择广义梯度近似(GGA)下的PBE算法-关联泛函对GaN晶体结构、能带结构以及电子态密度随压强的变化进行了研究,并计算出GaN材料的相变点压强值.研究结果表明:随着压强增加,常见的纤锌矿与闪锌矿GaN会发生结构相变成岩盐矿结构,并且其能带结构均由直接带隙转变成间接带隙.其中,通过焓相等原理得到纤锌矿到岩盐矿结构的相变压强为44.4 GPa,而闪锌矿到岩盐矿结构的相变压强为43.6 GPa.此外,随着压强增大,GaN纤锌矿、闪锌矿和岩盐矿的价带态密度均向低能方向偏移,而导带态密度向高能方向偏移,从而导致GaN共价性增强及带隙随压强增大而展宽.
关键词:
第一性原理
,
GaN
,
结构相变
,
电子结构
张力江
,
刘莉
,
夏正才
,
张国宏
,
冯文
,
唐洁
,
刘胜
,
袁松柳
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.04.006
本文主要介绍用溶胶-凝胶法制备的Ba离子掺杂的双层钙钛矿锰基氧化物La4/3(Sr1-xBax)5/3Mn2O7(00.4范围内,低温电阻值随烧结温度增加而减小.出现这种反常行为的结果可能是由于随着Sr逐步被Ba离子取代而引起的失配效应造成结构相分离所致.
关键词:
双层钙钛矿锰基氧化物
,
金属-绝缘体转变
,
磁电阻
,
结构相变
沈少喜
,
曹世勋
,
陈腊
,
袁淑娟
,
康保娟
,
张金仓
低温物理学报
本文采用自助溶剂法生长得到Fe1.01Se0.4Te0.6单晶样品,超导零电阻温度Tczero=11.0 K,部分样品经400℃进行48小时退火之后,超导零电阻温度变为Tczero=7.0K.分析表明退火后样品的Fe含量变大,超导电性被部分抑制.通过磁场下电阻率-温度曲线的实验测量,用WHH（Werthamer-Helfand-Hohenberg）方法估算得到退火前后样品在0K附近的上临界场分别为83.2T和61.3T.上临界场μ0Hc2（T）随温度变化曲线在0T附近向高温方向上翘,说明样品具有＂二流体＂行为.直流磁化曲线在40K和120K分别出现向下弯曲,40K处的变化可能对应于过量Fe的自旋冻结.应变测量结果显示样品在117K时应变值发生一个突变,变化量约为晶格参数的0.06%,显示样品发生一个结构相变.因此,120K处的磁化下降对应于样品从四方相到正交相的结构转变.
关键词:
FeSe超导体
,
单晶
,
结构相变
,
应变测量
井立强
,
孙晓君
,
辛柏福
,
王百齐
,
蔡伟民
,
付宏刚
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2004.02.010
以钛酸四丁酯,La2O3和Ce(NO3)3@6H2O为原料,采用溶胶-凝胶法制备了纯的和分别掺杂5mol%镧和铈的TiO2纳米粒子,并利用XRD,TG-DTA,TEM和XPS等测试技术对样品的晶型、尺寸和形貌等进行了表征,主要考察了镧和铈的掺杂对TiO2的晶粒尺寸和锐钛矿→金红石结构相变的影响,并初步的探讨了镧和铈的作用机理.结果表明,600℃焙烧而获得的TiO2纳米粒子具有与P-25型TiO2粒子相类似的组成、结构、形貌和粒子尺寸;掺杂剂镧和铈分别以La2O3和CeO2小团簇形式存在,并比较均匀的弥散在TiO2纳米粒子中,二者的掺杂抑制了锐钛矿晶粒的增长和锐钛矿→金红石的结构相变,使相变温度显著提高,晶格畸变增大,而镧比铈的作用更加显著.镧和铈的作用机理可能主要与掺杂离子的半径和价态以及稀土氧化物的存在和熔点等有关.
关键词:
TiO2
,
溶胶凝胶
,
结构相变
,
掺杂
,
镧和铈
葛军饴
,
曹世勋
,
沈少喜
,
秦晓玲
,
张金仓
低温物理学报
本文介绍了铁基超导体发展的重要进展,对铁基超导体的结构进行了分类与总结,通过最新的实验数据对铁基超导体中结构相变和自旋密度波与超导电性之间的关系进行了系统的分析与总结,并结合我们的实验结果与镍基超导体进行了对比,最后对铁基超导体的发展做一些展望.
关键词:
铁基超导体
,
超导电性
,
自旋密度波
,
结构相变
张静
,
吴玉洁
材料导报
采用溶胶-凝胶法制备了Tb掺杂的BiFeO3粉晶,其掺杂浓度为0≤x≤0.2,分别用X射线衍射仪、Raman散射仪和综合物性测量系统对Bi1-xTbxFeO3粉晶样品的结构、Raman活性振动模式和磁性进行了测量和分析.实验结果表明:当Tb掺杂量x在0.10～0.125时,母体BiFeO3的结构由菱形R3c相变为正交Pnma相,同时伴随着铁电-顺电相的变化.另外,随着掺杂浓度的增大,Bi1-xTbxFeO3的磁性逐渐增强,并且在铁电-顺电相相变边界处(x=0.10),剩余磁化强度Mr达到最大值0.223emu/g,约为纯相BiFeO3的8倍.随着Tb掺杂量进一步增大(x≥0.125),样品的剩余磁化强度开始逐渐减小,其原因是在正交相的样品中磁矩逐渐形成了很好的反平行排列.
关键词:
多铁材料
,
掺杂
,
结构相变
,
磁化强度
付贵福
,
敖青
,
孙良成
,
李德辉
,
朱新德
,
李胜利
中国稀土学报
通过DSC, X射线衍射等技术研究了一系列掺杂钙铬酸镧材料的低温相变行为, 并对其热膨胀过程进行了分析. 发现铬酸镧在240 ℃左右发生低温相变, 在260 ℃左右结束. 随钙含量的增加, 相变的开始和终了温度均显著升高, 相变属吸热反应. 铬酸镧及掺杂铬酸镧材料的低温结构相变均是由正交结构向菱形结构的转变. 在相变过程中无明显质量变化, 但会发生较大的体积收缩.
关键词:
无机非金属材料
,
铬酸镧
,
结构相变
,
热分析
,
稀土
于新彪
,
邓冬梅
,
白丽华
,
曹世勋
,
张金仓
低温物理学报
在130-830K温度范围内,系统研究了Si（111）-√3×√3-Ag和Si（111）-3×1-Ag超薄膜重构表面的光学二次谐波的温度依赖性,分析了信号强度的变化和表面结构之间的关联.结果表明,对于Si（111）-3×3-Ag结构薄膜表面而言,在130K到320 K的温度范围内,表面光学二次谐波信号强度的变化中没有出现明显的跃变,反映出在这一温度范围内没有出现结构相变,与K.Sakamoto等人的光电子衍射实验结果一致.而对于Si（111）-3×1-Ag薄膜表面,二次谐波信号在200K到500K之间出现的台阶式变化可能反映了在500 K时Si（111）-3×1-Ag到Si（111）-6×1-Ag的结构相变.其结果对金属原子在半导体表面的吸附、金属超薄膜生长机理和纳米结构体系结构相变的研究具有一定的参考价值和实际意义.
关键词:
Ag/Si(111)超薄膜
,
表面重构
,
光学二次谐波法
,
结构相变
