吕建国
,
宋学萍
,
孙兆奇
功能材料
采用直流磁控溅射技术制备超薄Au膜,用原子力显微镜观察薄膜的表面形貌.功率谱密度计算结果显示,随着溅射时间增加,高频段曲线拟合直线的斜率增大,相应的分形维数从2.579减小到2.500;而低频段曲线拟合直线的斜率减小,相应的分形维数由2.607增大到2.819,薄膜表面形貌存在多尺度行为.多重分形谱结果表明,随着溅射时间的增加,分形谱宽Δα从0.051增大到0.118,说明薄膜表面高度分布范围愈来愈宽,表面粗糙度愈来愈大,与rms研究结果一致.样品的Δf均＞0,说明样品表面最高峰位的数目均多于最低谷位的数目.
关键词:
超薄Au膜
,
原子力显微镜
,
功率谱密度
,
多重分形谱
孙兆奇
,
蔡琪
,
吕建国
,
宋学萍
功能材料
用直流磁控溅射在室温Si基片和载玻片上制备了厚度为7.6～81.3nm超薄Au膜,用X射线衍射及数字电桥对薄膜的微结构和电学性质进行了测试分析.微结构分析表明:制备的超薄Au膜仍为面心立方多晶结构;在膜厚d＜46.3nm时,(111)晶粒平均晶粒尺寸随膜厚增加逐渐增大,当d＞46.3nm后,晶粒尺寸几乎保持不变,甚至有所减小;(220)晶粒的平均晶粒尺寸则总是随膜厚的增加而增大.薄膜晶格常数均比PDF标准值(0.4078nm)稍小,随膜厚增加,薄膜晶格常数由0.4045nm增大到0.4077nm.电阻率分析结果表明,随着膜厚的增加,薄膜的电阻率经历了岛状膜的极大-网状膜的急剧减小-连续膜的缓慢减小.膜厚d＞46.3nm后,由于薄膜中长出新的(111)小晶粒,电阻率略有增加.
关键词:
超薄Au膜
,
微结构
,
电阻率
