张华
,
刘慧舟
,
杨坚
,
金薇
,
杨玉卫
,
古宏伟
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.03.012
用带有反应溅射装置的走带系统在立方织构的Ni-5% W衬底上连续制备了长10 cm的CeO2隔离层.为避免金属衬底氧化,以H2O作为反应气体.论文主要研究了衬底温度、走带速率对CeO2隔离层外延生长的影响.用X射线θ~2θ扫描,ψ扫描对薄膜的取向和织构进行表征.结果显示在温度650 ℃,走带速度2.5 mm/s的条件下,连续制备的CeO2隔离层有效地继承并改善了基底的织构,平均平面内ψ扫描半高宽为6.18°,扫描电镜(SEM)观察表明薄膜表面致密,且无裂纹生成.
关键词:
反应溅射
,
连续沉积
,
CeO2隔离层
,
NiW衬底
陈磊
,
陈文汨
,
龚竹青
,
涂抚洲
,
蒋汉瀛
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.1999.06.001
研究了在新型尿素氯化物硫酸盐混合物三价铬溶液中电镀铬的工艺条件对镀层的影响,详细考察了电流密度、pH值、络合剂浓度、恒电流/恒电位方式对电流效率和镀层外观质量的影响.结果表明:pH值在1.9~2.3之间、电流密度在7~11 A/dm2范围内、络合剂浓度为2 mol/L时获得的镀层能达到较大厚度和较高的电流效率,镀层光亮致密.在此工艺条件下,可获得30~40 μm的镀层.提出了三价铬电化学聚合的新假设.
关键词:
连续沉积
,
电化学聚和
,
铬
,
厚镀层