陈少强
,
朱建中
,
朱自强
,
邵丽
,
王伟明
,
郁可
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.014
介绍一种在低阻P型硅衬底上用氢离子注入技术形成局部高阻硅掩膜,用电化学腐蚀选择性生长多孔硅微阵列的工艺流程.结果证明,用高阻硅掩膜选择性生长多孔硅具有很好的掩蔽效果,生成的多孔硅阵列的有序性和完整性良好.
关键词:
多孔硅阵列
,
选择性生长
,
高阻硅掩膜
龚文莉
,
万丽娟
,
张健
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.06.012
本文主要研究了在常态(常温、常压等)条件下,利用金属催化化学腐蚀方法在硅片表面上大面积制备排列整齐、取向一致的硅纳米线阵列.同时,出于对后续制作硅纳米线传感器考虑,利用微电子标准加工工艺,以氮化硅做掩膜,通过选择合适的实验参数,在硅片表面选择性生长纳米线阵列,得到图形化的硅纳米线阵列.
关键词:
硅纳米线
,
选择性生长
,
图形化
张文广
,
夏义本
,
居建华
,
王林军
功能材料
利用偏压增强MPCVD法成功地实现了金刚石薄膜在附有SiO2掩膜图形的镜面抛光的Si(100)上的选择性织构生长,列举了最佳偏压成核与选择性生长条件,SEM和Raman光谱对所得样品进行了表征,并对偏压对选择性成核和生长的影响机制进行了探讨.
关键词:
金刚石薄膜
,
偏压形核
,
选择性生长
