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采用MPCVD法在硅衬底上选择性生长金刚石膜

史伟民 , 王林军 , 张文广 , 居建华 , 夏义本

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.03.023

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在附有SiO2掩摸的硅衬底上选择性沉积出 了金刚石膜。采用扫描电子显微镜(SEM)和Raman光谱仪对金刚石膜的表面形貌和结构进行 了表征,并讨论了衬底温度对金刚石薄膜选择性沉积的影响,得出了较佳的沉积条件。

关键词: 金刚石膜 , 选择性生长 , MPCVD

高阻硅掩膜选择性生长多孔硅阵列

陈少强 , 朱建中 , 朱自强 , 邵丽 , 王伟明 , 郁可

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.014

介绍一种在低阻P型硅衬底上用氢离子注入技术形成局部高阻硅掩膜,用电化学腐蚀选择性生长多孔硅微阵列的工艺流程.结果证明,用高阻硅掩膜选择性生长多孔硅具有很好的掩蔽效果,生成的多孔硅阵列的有序性和完整性良好.

关键词: 多孔硅阵列 , 选择性生长 , 高阻硅掩膜

图形化硅纳米线阵列的制备

龚文莉 , 万丽娟 , 张健

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.06.012

本文主要研究了在常态(常温、常压等)条件下,利用金属催化化学腐蚀方法在硅片表面上大面积制备排列整齐、取向一致的硅纳米线阵列.同时,出于对后续制作硅纳米线传感器考虑,利用微电子标准加工工艺,以氮化硅做掩膜,通过选择合适的实验参数,在硅片表面选择性生长纳米线阵列,得到图形化的硅纳米线阵列.

关键词: 硅纳米线 , 选择性生长 , 图形化

偏压对金刚石薄膜选择性成核和生长影响的研究

张文广 , 夏义本 , 居建华 , 王林军

功能材料

利用偏压增强MPCVD法成功地实现了金刚石薄膜在附有SiO2掩膜图形的镜面抛光的Si(100)上的选择性织构生长,列举了最佳偏压成核与选择性生长条件,SEM和Raman光谱对所得样品进行了表征,并对偏压对选择性成核和生长的影响机制进行了探讨.

关键词: 金刚石薄膜 , 偏压形核 , 选择性生长

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