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量子点接触中的自旋过滤特性

宋占锋 , 邵慧彬 , 忻学嘉 , 孙志刚 , 王亚东 , 李秀玲

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2013.04.018

利用可调节自旋过滤器模型,计算并讨论了磁场和电子跃迁能量间隔变化对量子点接触结构中自旋电子过滤特性的影响.研究发现,磁场和电子跃迁能量间隔的变化引起了自旋电子隧穿概率和隧穿电导都呈现出量子台阶效应,磁场的增加使电子的回旋频率和Zeeman能级分裂同时加强,从而导致量子点接触结构中的横向约束加强,而自旋过滤效应明显减弱;当磁场一定时,电子跃迁能量间隔越小,电子的自旋过滤效应越明显.电子跃迁能量间隔改变的同时,也改变了鞍形势的势垒形状和自旋过滤的灵敏度.对于不同的材料,同时考虑磁场和电子跃迁能量间隔的作用可以找到自旋过滤器的最佳过滤效果.尤为重要的是过滤器的结构用标准的电子束技术很容易得到,所以研究结论为设计新型自旋过滤器提供了理论依据,具有广阔的应用前景和潜在的商业价值.此外,使用朗道因子值较高的材料作自旋过滤器的衬底,可以进一步提高过滤器的性能.

关键词: 量子光学 , 量子点接触 , 自旋过滤器 , 鞍形势 , 量子电导

正常金属/绝缘层/正常金属/f波超导体量子点接触的微分电导

吉跃仁

低温物理学报

在Blonder-Tinkham-Klapwijk理论的框架下,计算了正常金属/绝缘层/正常金属(N/I/N)/f波超导体量子点接触的隧道谱.结果表明:在单模情况下,当fx2-y2波超导体的a轴与正常金属/fx2-y2波超导体间的界面夹角α为零度时,零偏压电导随绝缘层到界面的距离(L)变化,这导致了隧道谱中零偏压电导峰的出现或消失;当α=π/4,零偏压附近的电导随绝缘层势垒的增加,从零偏压电导峰逐渐变成了V型结构,能隙内的谱线出现尖谷,并随L的变化发生谷裂.N/I/N/f波超导体量子点接触隧道谱的这些特征与N/I/N/d波和N/I/N/p波超导体量子点接触隧道谱的特征不同,利用这些特征,我们能把f波超导体与d波和p波超导体区别开.

关键词: 量子点接触 , f波超导体 , 隧道谱

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