辛国锋
,
花吉珍
,
陈国鹰
,
康志龙
,
安振峰
,
冯荣珠
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.027
用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成了半导体激光器线阵列,连续波工作条件下的中心激射波长为940.5nm,输出功率高达37.7W(45A、2.0V),斜率效率可达0.99W/A(外微分量子效率为75%),最高转换效率超过45%,阈值电流密度为117A/cm2,该波长的半导体激光器是Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源.
关键词:
高功率
,
金属有机化合物气相淀积
,
半导体激光器阵列
,
单量子阱
盖红星
,
邓军
,
廉鹏
,
俞波
,
李建军
,
韩军
,
陈建新
,
沈光地
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.03.009
应用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)制备了具有渐变层的半导体布拉格反射镜(DBR),分别是抛物线性、线性和突变结构的DBR.三种反射镜结构都设计为8个周期,通过白光反射谱测量突变DBR具有最大反射率.应用原子力显微镜对所制备的DBR表面形貌进行分析.结果表明,相同周期数情况下线性渐变DBR相对于其他两种结构粗糙度最小,具有良好的表面形貌,可以应用于垂直腔面发射激光器的研制.
关键词:
布拉格反射镜
,
金属有机化合物气相淀积
,
原子力显微镜
,
AlGaAs
