陈力
,
胡昌义
,
蔡宏中
,
王云
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2010.01.001
以乙酰丙酮铱和乙酰丙酮铂为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在钼基体上沉积了PtIr薄膜.研究了前驱体加热温度对PtIr薄膜结构、成分和沉积速率的影响.结果表明,MOCVD的PtIr薄膜为合金膜,Pt-Ir合金薄膜成分、沉积速率随前躯体加热温度变化而变化,并存在极值点.
关键词:
复合材料
,
金属有机物化学气相沉积
,
Pt-Ir合金膜
,
成分
,
沉积速率
华云峰
,
陈照峰
,
张立同
,
成来飞
稀有金属材料与工程
在不通入活性气体的条件下,采用三乙酰丙酮铱金属有机物化学气相沉积方法制备铱薄膜.结果表明:低于190℃长时间加热使先驱体分子结构改变,其C-H和C-O键断裂活性升高,导致沉积薄膜中含有显著数量的碳杂质;高于220℃加热先驱体和550℃沉积,可获得致密连续、无杂质碳并且呈亮银白色的铱薄膜.
关键词:
铱
,
金属有机物化学气相沉积
,
先驱体
,
基片
杨文彬
,
张立同
,
成来飞
,
华云峰
,
张钧
稀有金属材料与工程
采用金属有机物化学气相沉积法,在不通入活性气体的条件下,研究了三乙酰丙酮铱先驱体挥发温度对铱涂层显微结构的影响.在500℃的金属铌和陶瓷石英基片上制备出亮银白色的多晶相铱涂层.分析表明:铌和石英基片上沉积的铱涂层均由两层不同结构的薄膜构成,220℃挥发先驱体沉积出由纳米级颗粒疏松堆积构成的涂层,185℃挥发先驱体沉积出致密的涂层.铱涂层表面光滑均匀,无明显缺陷.
关键词:
铱涂层
,
金属有机物化学气相沉积
,
升华温度
,
显微组织
张春光
,
卞留芳
,
陈维德
中国稀土学报
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)和离子注入的方法制备了掺铕 GaN薄膜. 利用Raman散射技术研究薄膜的晶格振动,从而确定离子注入引进的晶格损伤变化情况. 结果表明,Eu离子注入剂量越大,对晶格的损伤越严重;Eu离子注入的能量越高,对晶格的损伤也越严重;采用沟道注入方法可以有效地减小对晶体的损伤. 离子注入后进行高温退火,可以使晶格中的Ga空位引起的缺陷得到有效的恢复,而N空位引起的缺陷随着退火温度的升高先减少后增多. 不同几何配置的Raman谱研究表明,1000 ℃的高温退火导致了GaN的分解.
关键词:
GaN
,
Eu
,
金属有机物化学气相沉积
,
Raman散射
,
铕
,
稀土
陶志阔
,
张荣
,
陈琳
,
修向前
,
谢自力
,
郑有炓
功能材料
应用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法,在c轴取向的GaN上生长出Fe颗粒薄膜以及Fe3N薄膜。应用XRD、AFM、XPS以及SQUID等技术对薄膜的结构、表面形貌以及磁学性能等性质进行了分析,结果表明六方结构的GaN上生长的Fe为立方结构,且以Fe（110）//GaN（0002）晶面以及Fe[001]//GaN[11■0]轴的方式存在,而生长的Fe3N为六方结构,且以Fe3N（0002）//GaN（0002）晶面以及Fe3N[11■0]//GaN[1ī00]轴的方式存在。同时,磁学分析表明,平行于薄膜方向为易磁化方向,垂直于薄膜方向为难磁化方向。
关键词:
自旋注入
,
金属有机物化学气相沉积
,
铁磁薄膜
孙一军
,
夏冠群
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.1999.04.002
众所周知,MOCVD方法是制备薄膜材料的重要方法之一,现已广泛应用于半导体薄膜、铁电薄膜和超导薄膜等的制备.在以前的工作中,我们设计、加工、安装、调试、建立了一套可计算机自动控制的热壁低压MOCVD设备,制备出了TiO2纳米粉末,得到了一些初步结果.本文详细研究了热壁低压MOCVD方法在TiO2纳米粉末制备中的应用,通过合理设计反应室和收集区域,在采用反应区域和收集区域之间无任何过渡区域的收集方式,制备出了TiO2纳米粉末.采用X射线衍射技术研究了沉积温度对TiO2纳米粉末的晶体结构和平均晶粒尺寸的影响规律.在500℃～1000℃范围内,粉末均为锐钛矿结构,平均晶粒尺寸7.4～15.2nm,700℃条件下制备的TiO2纳米粉末的平均晶粒尺寸最小.透射电子显微镜观察表明,在最佳沉积温度700℃条件下制备的TiO2粉末粒度均匀性好,粒径约为5～8nm.
关键词:
金属有机物化学气相沉积
,
二氧化钛
,
纳米 粉末
