张志萍
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刘红飞
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潘坤旻
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陈小兵
,
曾祥华
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150219
采用脉冲激光沉积法制备了斜方相Sc2W3O12薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对Sc2W3O12靶材和Sc2W3O12薄膜组分、表面形貌和靶材断面形貌进行表征,研究衬底温度与氧分压对薄膜制备的影响.采用变温XRD和热机械分析仪(TMA)分析了Sc2W3O12陶瓷靶材和薄膜的负热膨胀特性.实验结果表明:经1000℃烧结6h得到结构致密的斜方相Sc2W3O12陶瓷靶材,其在室温到600℃的温度范围内平均热膨胀系数为-5.28×10-6 K-1.在室温到500℃衬底温度范围内脉冲激光沉积制备的Sc2W3O12薄膜均为非晶态,随着衬底温度的升高,薄膜表面光滑程度提高;随着沉积氧压强增大,表面平整性变差.非晶膜经1000℃退火处理7 min后得到斜方相Sc2W3O12多晶薄膜,在室温到600℃温度区间内,Sc2W3O12薄膜的平均热膨胀系数为-7.17×10-6 K-1.
关键词:
负热膨胀
,
薄膜
,
脉冲激光沉积
,
钨酸钪
