王伟君
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何俊
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张克智
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陶加华
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孙琳
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陈晔
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杨平雄
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褚君浩
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140309
采用单靶磁控溅射法制备了铜铟硒(CIS)和铜铟锌硒(CIZS)薄膜.XRD表征发现CIZS-300出现了与其它薄膜不同的择优取向,分析认为贫铜的状态和适宜温度可能促使薄膜择优取向从(112)向(220)转化;拉曼光谱在171 cm-1处出现的较强峰,和206 cm-1处出现的较弱峰,分别为A1和B2振动模式,而Zn的掺入导致A1拉曼峰的宽化和蓝移;Zn的掺入使Cu含量改变进而使CIZS禁带宽度增大,这是由于Se的p轨道和Cu的d轨道杂化引起的;SEM测试结果表明CIZS薄膜表面比CIS表面更为紧密、平滑.
关键词:
磁控溅射
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铜铟锌硒
,
锌掺杂