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锑化物二类超晶格热电材料:能带结构、热电性能、制备与测试?

邓凌霄 , 王晓东 , 刘杨 , 张明亮 , 杨富华

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.21.004

热电器件由于结构简单、可靠性好、无污染等优点,在微电子、能源等领域具有广泛的应用。探索具有高热电优值(ZT)的新材料是近些年来的研究热点。超晶格材料由于独特的量子限制效应和声子界面散射,ZT值比块体材料大幅度提高。而锑化物二类超晶格与传统超晶格不同,其禁带呈错开状,由此又可以带来热电性能新的变化。阐述了锑化物二类超晶格的能带结构以及能够获得高ZT值的优势,介绍了其热电机理和研究进展,以及当前该类超晶格的制备工艺和测试方法。

关键词: 锑化物 , 二类超晶格 , 热电材料 , 热电优值

锑化物激光器的研究进展

刘盛 , 张永刚

材料导报

锑化物激光器在2~5μm波段具有广阔的应用前景.综述了锑化物激光器的研究进展,重点论述了材料生长、结构设计、器件工艺、封装技术以及新的器件结构,讨论了其中存在的主要技术问题,并指出了锑化物激光器不断向长波长方向扩展的趋势.

关键词: 分子束外延 , 锑化物 , 激光器

用分子束外延制备红外锑化物激光器和探测器材料

李爱珍 , 郑燕兰 , 林春

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.01.005

用固态源分子束外延方法,在GaSb衬底上成功地生长出四元系III-V族锑化物单层、多量子阱和激光器、探测器结构材料,并用这些材料制备了2μm波段室温准连续脊波导AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱.

关键词: 中红外 , 锑化物 , 分子束外延

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