欢迎登录材料期刊网
陈彦 , 马书懿
功能材料
用射频磁控溅射法制备了锗/氧化硅纳米多层膜,在室温下测量了Au/锗/氧化硅纳米多层膜/pSi结构的电致发光.利用位形坐标模型分析了锗/氧化硅纳米多层膜的发光中心,并用量子限制-发光中心模型对该纳米结构的电致发光过程作了研究,研究表明锗/氧化硅纳米多层膜的电致发光主要来自SiO2层的发光中心.
关键词: 锗/氧化硅纳米多层膜 , 电致发光 , 位形坐标 , 量子限制 , 发光中心
